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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0065912 (2020-06-01) | |
공개번호 | 10-2021-0148701 (2021-12-08) | |
등록번호 | 10-2428642-0000 (2022-07-29) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200065912 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-06-01) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
구리 박막의 건식 식각방법에 관한 것으로서, 상세하게는 구리 박막을 플라즈마화 되지 않은 할로겐 원소를 포함한 반응가스에 노출시켜, 구리 박막 상에 구리 할로겐화물층을 형성하는 제1 단계; 및 상기 제1 단계 후, 플라즈마화된 불활성가스 또는 불활성가스 혼합물을 공급하여, 구리 할로겐화물층을 제거하는 제2 단계;를 포함하는, 구리 박막의 건식 식각방법에 관한 것이다.
구리 박막을 진공도 1 ~ 10 mTorr에서 플라즈마화 되지 않은 할로겐 원소를 포함한 반응가스에 노출시켜, 구리 박막 상에 구리 할로겐화물층을 형성하는 제1 단계; 및상기 제1 단계 후, 진공도가 1 ~ 10 mTorr이고, ICP rf 전력이 100 내지 300 W 이고, 구리 박막이 증착된 기판에 인가되는 직류 바이어스(dc-bias) 전압이 150 내지 250V인 조건에서 플라즈마화된 불활성가스 또는 불활성가스 혼합물을 공급하여, 구리 할로겐화물층을 제거하는 제2 단계;를 포함하고,상기 제 1 단계 및 제 2 단계에서의 구
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