초록 ▼

본 발명은 레이저 그루빙(grooving) 공정을 생략할 수 있게 하여 실리콘 데브리스(Si debris)가 전혀 발생하지 않도록 하면서 반도체 다이를 형성할 수 있는 방법을 개시한다. 본 발명의 반도체 다이 형성방법은, 반도체 다이 영역, 실링 영역과 스크라이브 라인 영역을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 금속 패드 및 테스트 패드를 형성하는 단계; 상기 층간 절연막, 상기 금속 패드 및 테스트 패드 상에 패시베이션 절연막을 형성하는 단계; 상기

본 발명은 레이저 그루빙(grooving) 공정을 생략할 수 있게 하여 실리콘 데브리스(Si debris)가 전혀 발생하지 않도록 하면서 반도체 다이를 형성할 수 있는 방법을 개시한다. 본 발명의 반도체 다이 형성방법은, 반도체 다이 영역, 실링 영역과 스크라이브 라인 영역을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 금속 패드 및 테스트 패드를 형성하는 단계; 상기 층간 절연막, 상기 금속 패드 및 테스트 패드 상에 패시베이션 절연막을 형성하는 단계; 상기 실링 영역과 상기 스크라이브 라인 영역 사이에 존재하는 상기 패시베이션 절연막 및 상기 층간 절연막을 소정 깊이만큼 플라즈마 에칭 공정에 의해 식각하는 제1 식각 단계; 상기 금속 패드와 상기 테스트 패드를 노출하도록 상기 패시베이션 절연막을 패터닝하는 제2 식각 단계; 상기 금속 패드 상에 범프를 형성하는 단계; 및 기계적 소잉(sawing)에 의해 상기 스크라이브 라인 영역을 제거하면서 상기 반도체 기판을 분리하는 단계를 포함하여 수행된다.

대표청구항 ▼

반도체 다이 영역, 실링 영역과 스크라이브 라인 영역을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 금속 패드 및 테스트 패드를 형성하는 단계; 상기 층간 절연막, 상기 금속 패드 및 테스트 패드 상에 패시베이션 절연막을 형성하는 단계; 상기 실링 영역과 상기 스크라이브 라인 영역 사이에 존재하는 상기 패시베이션 절연막 및 상기 층간 절연막을 소정 깊이만큼 플라즈마 에칭 공정에 의해 식각하는 제1 식각 단계;상기 금속 패드와 상기 테스트 패드를 노출하도록 상기

반도체 다이 영역, 실링 영역과 스크라이브 라인 영역을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 금속 패드 및 테스트 패드를 형성하는 단계; 상기 층간 절연막, 상기 금속 패드 및 테스트 패드 상에 패시베이션 절연막을 형성하는 단계; 상기 실링 영역과 상기 스크라이브 라인 영역 사이에 존재하는 상기 패시베이션 절연막 및 상기 층간 절연막을 소정 깊이만큼 플라즈마 에칭 공정에 의해 식각하는 제1 식각 단계;상기 금속 패드와 상기 테스트 패드를 노출하도록 상기 패시베이션 절연막을 패터닝하는 제2 식각 단계; 상기 금속 패드 상에 범프를 형성하는 단계; 및 기계적 소잉(sawing)에 의해 상기 스크라이브 라인 영역을 제거하면서 상기 반도체 기판을 분리하는 단계를 포함하는 반도체 다이 형성 방법.