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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0049471 (2021-04-15) | |
공개번호 | 10-2022-0142879 (2022-10-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210049471 | |
발명자 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명은 SRAM(Static Random Access Memory) 셀을 BIST(Built in Self Test) 및 리페어(Repair)하는 불량 처리 장치 및 불량 처리 방법에 관한 것으로, 이전 SRAM 테스트의 불량 및 리페어 이력 정보를 저장하고, 금번 테스트에 이를 제공하여 BIST 결과와 이전 테스트에 대한 정보를 모두 반영하여 사용 가능한 여분 SRAM이 없을 때까지 멀티 리페어(Multiple Repair)를 수행할 수 있는 불량 처리 장치 및 불량 처리 방법을 제공한다.
실사용 메모리 영역과 여분 메모리 영역을 포함하는 SRAM(static random access memory)의 불량 처리 장치에 있어서,리페어 정보를 저장하는 메모리부;상기 메모리부 로부터 이전 테스트의 리페어 정보를 획득하고, 상기 이전 테스트의 리페어 정보를 제공하는 코맨드 맵(Command Map);상기 코맨드 맵으로부터 상기 이전 테스트의 리페어 정보를 획득하고, SRAM 셀(cell)의 전체 주소를 불량 테스트하여 불량이 발생한 주소가 실사용 메모리 영역의 주소(실사용 주소)인지 아니면 여분 메모리 영역의 주소(여분 주소
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