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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0082705 (2020-07-06) | |
공개번호 | 10-2022-0005188 (2022-01-13) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200082705 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명은 레이저 그루빙(grooving) 공정을 생략할 수 있게 하여 실리콘 데브리스(Si debris)가 전혀 발생하지 않도록 하면서 반도체 다이를 형성할 수 있는 방법을 개시한다. 본 발명의 반도체 다이 형성방법은, 반도체 다이 영역, 실링 영역과 스크라이브 라인 영역을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 금속 패드 및 테스트 패드를 형성하는 단계; 상기 층간 절연막, 상기 금속 패드 및 테스트 패드 상에 패시베이션 절연막을 형성하는 단계; 상기
반도체 다이 영역, 실링 영역과 스크라이브 라인 영역을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 금속 패드 및 테스트 패드를 형성하는 단계; 상기 층간 절연막, 상기 금속 패드 및 테스트 패드 상에 패시베이션 절연막을 형성하는 단계; 상기 실링 영역과 상기 스크라이브 라인 영역 사이에 존재하는 상기 패시베이션 절연막 및 상기 층간 절연막을 소정 깊이만큼 플라즈마 에칭 공정에 의해 식각하는 제1 식각 단계;상기 금속 패드와 상기 테스트 패드를 노출하도록 상기
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