초록 ▼

본 발명의 일실시예는 기판 상에 전극을 형성하는 단계; 상기 전극 상에 산화주석 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 산화주석 나노와이어 상에 산화바나듐층을 증착시키는 단계; 및 상기 산화바나듐층이 증착된 산화주석 나노와이어를 열처리하여, 상기 산화바나듐층을 아일랜드 형태로 변화시켜서 상기 산화주석 나노와이어 상에 산화바나듐 아일랜드를 형성하는 단계; 를 포함하는 NO2 가스센서 제조방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따르면, 산화바나듐 아일랜드가 표면에 분산된 산화주석 나노와이어를 감지물질로 이용함으로써 NO2 가스에 대한 감도 및

본 발명의 일실시예는 기판 상에 전극을 형성하는 단계; 상기 전극 상에 산화주석 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 산화주석 나노와이어 상에 산화바나듐층을 증착시키는 단계; 및 상기 산화바나듐층이 증착된 산화주석 나노와이어를 열처리하여, 상기 산화바나듐층을 아일랜드 형태로 변화시켜서 상기 산화주석 나노와이어 상에 산화바나듐 아일랜드를 형성하는 단계; 를 포함하는 NO2 가스센서 제조방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따르면, 산화바나듐 아일랜드가 표면에 분산된 산화주석 나노와이어를 감지물질로 이용함으로써 NO2 가스에 대한 감도 및 선택성이 우수한 가스센서를 제공할 수 있다.

대표청구항 ▼

기판 상에 전극을 형성하는 단계;상기 전극 상에 산화주석 나노와이어를 형성하는 단계;상기 산화주석 나노와이어 상에 산화바나듐층을 증착시키는 단계; 및상기 산화바나듐층이 증착된 산화주석 나노와이어를 열처리하여, 상기 산화바나듐층을 아일랜드 형태로 변화시켜서 상기 산화주석 나노와이어 상에 산화바나듐 아일랜드를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 산화바나듐 아일랜드는 상기 산화주석 나노와이어 표면에 서로 이격되어 불규칙적으로 분산되어 형성된 불연속적인 산화바나듐 결정 물질인 것을 특징으로 하고,상기 산화바나듐층을 증착시

기판 상에 전극을 형성하는 단계;상기 전극 상에 산화주석 나노와이어를 형성하는 단계;상기 산화주석 나노와이어 상에 산화바나듐층을 증착시키는 단계; 및상기 산화바나듐층이 증착된 산화주석 나노와이어를 열처리하여, 상기 산화바나듐층을 아일랜드 형태로 변화시켜서 상기 산화주석 나노와이어 상에 산화바나듐 아일랜드를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 산화바나듐 아일랜드는 상기 산화주석 나노와이어 표면에 서로 이격되어 불규칙적으로 분산되어 형성된 불연속적인 산화바나듐 결정 물질인 것을 특징으로 하고,상기 산화바나듐층을 증착시키는 단계는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하고,상기 산화바나듐 아일랜드를 형성하는 단계에서, 상기 열처리는 500℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 NO2 가스센서 제조방법.