본 발명은 박막 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 ⅰ) 박막 형성용 성장 억제제를 기판 표면에 흡착시키는 단계; 및 ⅱ) 성장 억제제가 흡착된 기판 표면에 금속막 전구체, 금속산화막 전구체, 금속 질화막 전구체 또는 실리콘 질화막 전구체를 흡착시키는 단계를 포함하되, 상기 박막 형성용 성장 억제제는 하기 화학식 1[화학식 1]AnBmXo(상기 A는 탄소 또는 규소이고, 상기 B는 수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬이며, 상기 X는 할로겐이고, 상기 n은 1 내지 15의 정수이며, 상기 o는 1 이상의 정수이고, m은 0
본 발명은 박막 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 ⅰ) 박막 형성용 성장 억제제를 기판 표면에 흡착시키는 단계; 및 ⅱ) 성장 억제제가 흡착된 기판 표면에 금속막 전구체, 금속산화막 전구체, 금속 질화막 전구체 또는 실리콘 질화막 전구체를 흡착시키는 단계를 포함하되, 상기 박막 형성용 성장 억제제는 하기 화학식 1[화학식 1]AnBmXo(상기 A는 탄소 또는 규소이고, 상기 B는 수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬이며, 상기 X는 할로겐이고, 상기 n은 1 내지 15의 정수이며, 상기 o는 1 이상의 정수이고, m은 0 내지 2n+1이다.)로 표시되고, 상기 금속은 텅스텐, 코발트, 크롬, 알루미늄, 하프늄, 바나듐, 니오븀, 게르마늄, 란탄족 원소, 악티늄족 원소, 갈륨, 탄탈륨, 지르코늄, 루테늄, 구리, 티타늄, 니켈, 이리듐 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 부반응을 억제하여 박막 성장률을 낮추고 또한 박막 내 공정 부산물을 제거함으로써, 복잡한 구조를 갖는 기판 위에 박막을 형성하는 경우에도 단차 피복성(step coverage) 및 박막의 두께 균일성을 크게 향상시키는 박막 제조 방법을 제공하는 효과가 있다.
대표청구항▼
ⅰ) 박막 형성용 성장 억제제를 기판 표면에 흡착시키는 단계; 및 ⅱ) 성장 억제제가 흡착된 기판 표면에 금속막 전구체, 금속산화막 전구체, 금속 질화막 전구체 또는 실리콘 질화막 전구체를 흡착시키는 단계를 포함하되,상기 박막 형성용 성장 억제제는 하기 화학식 1로 표시되고,상기 금속은 텅스텐, 코발트, 크롬, 알루미늄, 하프늄, 바나듐, 니오븀, 게르마늄, 란탄족 원소, 악티늄족 원소, 갈륨, 탄탈륨, 지르코늄, 루테늄, 구리, 티타늄, 니켈, 이리듐 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는박막
ⅰ) 박막 형성용 성장 억제제를 기판 표면에 흡착시키는 단계; 및 ⅱ) 성장 억제제가 흡착된 기판 표면에 금속막 전구체, 금속산화막 전구체, 금속 질화막 전구체 또는 실리콘 질화막 전구체를 흡착시키는 단계를 포함하되,상기 박막 형성용 성장 억제제는 하기 화학식 1로 표시되고,상기 금속은 텅스텐, 코발트, 크롬, 알루미늄, 하프늄, 바나듐, 니오븀, 게르마늄, 란탄족 원소, 악티늄족 원소, 갈륨, 탄탈륨, 지르코늄, 루테늄, 구리, 티타늄, 니켈, 이리듐 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는박막 제조 방법.[화학식 1]AnBmXo(상기 A는 탄소 또는 규소이고, 상기 B는 수소 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬이며, 상기 X는 할로겐이고, 상기 n은 1 내지 15의 정수이며, 상기 o는 1 이상의 정수이고, m은 0 내지 2n+1이다.)
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