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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0121203 (2020-09-21) | |
공개번호 | 10-2022-0038872 (2022-03-29) | |
등록번호 | 10-2488503-0000 (2023-01-10) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200121203 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-09-21) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 환형실란과 알킬트리에톡시실란/아릴알킬트리에톡시실란의 혼합물을 이용하여 질화막에 대한 식각 선택성이 높은 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
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