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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2020-0140697 (2020-10-27) | |
| 공개번호 | 10-2022-0056022 (2022-05-04) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020200140697 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 법적상태 | 공개 |
본 개시의 정적 램(SRAM) 메모리 장치는 워드라인 및 상기 워드라인과 교차된 비트라인들에 연결된 메모리 셀, 상기 메모리 셀에 연결되어 게이트 신호의 로직 레벨에 따라 그라운드와 상기 메모리 셀의 연결을 차단하도록 제어되는 스위칭 트랜지스터를 포함하고, 상기 그라운드와 상기 메모리 셀의 연결이 차단되는 경우에 응답하여 상기 비트라인들 중 적어도 하나의 비트라인으로부터 전하 저장 노드에 전하를 축적하는 전하 저장 회로, 및 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 신호의 로직 레벨을 결정함으로써 상기 전하 저장 회로를 제어하는 스위칭 컨트
워드라인 및 상기 워드라인과 교차된 비트라인들에 연결된 메모리 셀;상기 메모리 셀에 연결되어 게이트 신호의 로직 레벨에 따라 그라운드와 상기 메모리 셀의 연결을 차단하도록 제어되는 스위칭 트랜지스터를 포함하고, 상기 그라운드와 상기 메모리 셀의 연결이 차단되는 경우에 응답하여 상기 비트라인들 중 적어도 하나의 비트라인으로부터 전하 저장 노드에 전하를 축적하는 전하 저장 회로; 및상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 신호의 로직 레벨을 결정함으로써 상기 전하 저장 회로를 제어하는 스위칭 컨트롤러를 포함하는 정적 램(SRAM) 메모리 장치.
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