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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0159070 (2020-11-24) | |
공개번호 | 10-2022-0071672 (2022-05-31) | |
등록번호 | 10-2455217-0000 (2022-10-12) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200159070 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-11-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 실리콘 기판을 포함하는 GaN계 전력 소자의 상기 실리콘 기판측에 입자빔을 조사하는 단계를 포함하는 것인 GaN계 전력 소자의 제조 방법, 및 상기 GaN계 전력 소자의 제조 방법에 의해 제조된 GaN계 전력 소자에 관한 것이다.
실리콘 기판, AIN계 핵생성층을 포함하는 AlN계 박막, AlGaN계 전이층 (transition layer)을 포함하는 제1 AlGaN계 박막, GaN계 버퍼층 (buffer layer)을 포함하는 제1 GaN계 박막, GaN계 채널층 (channel layer)을 포함하는 제2 GaN계 박막 및 AlGaN계 배리어층 (barrier layer)을 포함하는 제2 AlGaN계 박막이 순차적으로 적층된 구조의 상기 실리콘 기판측에 입자빔을 조사하여 상기 실리콘 기판과 상기 AlN계 박막 사이에 형성되어 있는 전도성층을 제거하는 단계
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