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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-7007730 (2021-03-15) | |
공개번호 | 10-2021-0041077 (2021-04-14) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2018-153432 (2018-08-17);일본(JP) JP-P-2019-059630 (2019-03-27);일본(JP) JP-P-2019-080810 (2019-04-22) | |
국제출원번호 | PCT/JP2019/028991 (2019-07-24) | |
국제공개번호 | WO 2020/036047 (2020-02-20) | |
번역문제출일자 | 2021-03-15 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020217007730 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
아모노서멀법으로 성장된 GaN 결정에 필적하는 20 arcsec 이하의 (004) XRD 로킹 커브 FWHM 을 갖는 GaN 결정을, 양산성이 우수한 HVPE 로 성장시킬 수 있으면, c 면 GaN 웨이퍼를 기판에 사용하여 생산되는 질화물 반도체 디바이스의 개발 촉진이나 저비용화에 공헌할 수 있는 것으로 기대된다. n 형 GaN 결정은, 가장 높은 농도로 함유하는 도너 불순물이 Ge 이고, 0.03 Ω·㎝ 미만의 실온 저항률을 갖고, 그 (004) XRD 로킹 커브 FWHM 은 20 arcsec 미만이다. 이 n 형 GaN 결정은,
가장 높은 농도로 함유하는 도너 불순물이 Ge 인 것, 0.03 Ω·㎝ 미만의 실온 저항률을 갖는 것, 및, (004) XRD 로킹 커브 FWHM 이 20 arcsec 미만인 것을 특징으로 하는 n 형 GaN 결정.
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