[특허]GaN계 전력 소자의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 GaN계 전력 소자

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GaN계 전력 소자의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 GaN계 전력 소자 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/66 H01L-029/20 H01L-029/778
출원번호	10-2020-0159070 (2020-11-24)
공개번호	10-2022-0071672 (2022-05-31)
등록번호	10-2455217-0000 (2022-10-12)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020200159070
발명자 / 주소	김동석 / 대구광역시 동구 신암로길 , 신천자이아파트 *동 호 윤영준 / 대구광역시 북구 대현남로 , 대현뜨란채 동 호 이재상 / 대구광역시 수성구 청수로 *, 캐슬골드파크단지 **동 **호
출원인 / 주소	한국원자력연구원 / 대전광역시 유성구 대덕대로*번길 *(덕진동)
대리인 / 주소	특허법인태평양
심사청구여부	있음 (2020-11-24)
심사진행상태	등록결정(재심사후)
법적상태	등록

초록

본 발명은 실리콘 기판을 포함하는 GaN계 전력 소자의 상기 실리콘 기판측에 입자빔을 조사하는 단계를 포함하는 것인 GaN계 전력 소자의 제조 방법, 및 상기 GaN계 전력 소자의 제조 방법에 의해 제조된 GaN계 전력 소자에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

실리콘 기판, AIN계 핵생성층을 포함하는 AlN계 박막, AlGaN계 전이층 (transition layer)을 포함하는 제1 AlGaN계 박막, GaN계 버퍼층 (buffer layer)을 포함하는 제1 GaN계 박막, GaN계 채널층 (channel layer)을 포함하는 제2 GaN계 박막 및 AlGaN계 배리어층 (barrier layer)을 포함하는 제2 AlGaN계 박막이 순차적으로 적층된 구조의 상기 실리콘 기판측에 입자빔을 조사하여 상기 실리콘 기판과 상기 AlN계 박막 사이에 형성되어 있는 전도성층을 제거하는 단계를 포함하는 것인, GaN계 전력 소자의 제조 방법으로서,상기 입자빔을 조사하는 단계는, 상기 입자빔을 조사하여서 상기 실리콘 기판과 상기 AlN계 박막의 계면의 영역에 입자 이온을 주입하는 것이며,상기 실리콘 기판의 두께는 650 ㎛ 내지 1,000 ㎛이고,상기 입자빔의 에너지는 9 MeV 내지 12 MeV인 것인, GaN계 전력 소자의 제조 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

[한국] 이종접합구조 반도체 소자의 전기적 특성 향상 방법 | 김지현, 김홍렬
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[한국] 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 조성무, 김준호, 김재무, 장태훈, 황의진
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[한국] 반도체 소자 | 심희재, 고대영, 이성훈, 투아이남 존, 이종섭, 정성달
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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