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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-7021688 (2020-07-24) | |
공개번호 | 10-2020-0121292 (2020-10-23) | |
등록번호 | 10-2528850-0000 (2023-04-28) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2018-026465 (2018-02-16) | |
국제출원번호 | PCT/JP2018/047446 (2018-12-25) | |
국제공개번호 | WO 2019/159539 (2019-08-22) | |
번역문제출일자 | 2020-07-24 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020207021688 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-10-20) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은, Nv영역의 실리콘 단결정웨이퍼를 질화성 분위기에서 RTA열처리 후, 제2의 열처리를 행하고, 소정의 BMD밀도로 제어하는 열처리방법으로서, 미리 BMD밀도와 RTA온도의 관계에 대한 관계식을 구하고, 상기 관계식에 기초하여, 상기 소정의 BMD밀도를 얻기 위한 RTA온도를 결정하는 실리콘 단결정웨이퍼의 열처리방법이다.이에 따라, 표면이 무결함이고 벌크부분에 소정의 BMD밀도를 갖는 어닐웨이퍼 및 에피택셜웨이퍼를 제조하기 위한 실리콘 단결정웨이퍼의 열처리방법이 제공된다.
Nv영역의 실리콘 단결정웨이퍼를 질화성 분위기에서 RTA열처리 후, 제2의 열처리를 행하고, 소정의 BMD밀도로 제어하는 열처리방법으로서,미리 BMD밀도와 RTA온도의 관계에 대한 관계식을 구하고,상기 관계식에 기초하여, 상기 소정의 BMD밀도를 얻기 위한 RTA온도를 결정하고,상기 제2의 열처리는, 850~950℃, 2시간 이상, 32시간 미만의 범위 내의 조건으로 행하고,상기 질화성 분위기는 암모니아를 포함하는 분위기이고,상기 소정의 BMD밀도의 제어범위를 1×109~1×1011/cm3로 하고,상기 관계식으로서, BMD밀도(/c
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