초록

본 발명은, Nv영역의 실리콘 단결정웨이퍼를 질화성 분위기에서 RTA열처리 후, 제2의 열처리를 행하고, 소정의 BMD밀도로 제어하는 열처리방법으로서, 미리 BMD밀도와 RTA온도의 관계에 대한 관계식을 구하고, 상기 관계식에 기초하여, 상기 소정의 BMD밀도를 얻기 위한 RTA온도를 결정하는 실리콘 단결정웨이퍼의 열처리방법이다.이에 따라, 표면이 무결함이고 벌크부분에 소정의 BMD밀도를 갖는 어닐웨이퍼 및 에피택셜웨이퍼를 제조하기 위한 실리콘 단결정웨이퍼의 열처리방법이 제공된다.

대표청구항 ▼

Nv영역의 실리콘 단결정웨이퍼를 질화성 분위기에서 RTA열처리 후, 제2의 열처리를 행하고, 소정의 BMD밀도로 제어하는 열처리방법으로서,미리 BMD밀도와 RTA온도의 관계에 대한 관계식을 구하고,상기 관계식에 기초하여, 상기 소정의 BMD밀도를 얻기 위한 RTA온도를 결정하고,상기 제2의 열처리는, 850~950℃, 2시간 이상, 32시간 미만의 범위 내의 조건으로 행하고,상기 질화성 분위기는 암모니아를 포함하는 분위기이고,상기 소정의 BMD밀도의 제어범위를 1×109~1×1011/cm3로 하고,상기 관계식으로서, BMD밀도(/c

Nv영역의 실리콘 단결정웨이퍼를 질화성 분위기에서 RTA열처리 후, 제2의 열처리를 행하고, 소정의 BMD밀도로 제어하는 열처리방법으로서,미리 BMD밀도와 RTA온도의 관계에 대한 관계식을 구하고,상기 관계식에 기초하여, 상기 소정의 BMD밀도를 얻기 위한 RTA온도를 결정하고,상기 제2의 열처리는, 850~950℃, 2시간 이상, 32시간 미만의 범위 내의 조건으로 행하고,상기 질화성 분위기는 암모니아를 포함하는 분위기이고,상기 소정의 BMD밀도의 제어범위를 1×109~1×1011/cm3로 하고,상기 관계식으로서, BMD밀도(/cm3)=3×1040 exp(-8.86eV/kT)를 이용하여, 소정의 BMD밀도가 되도록 RTA온도를 결정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정웨이퍼의 열처리방법.