초록 ▼

본 개시내용은 기판 프로세싱 동안의 온도 감지 및 제어를 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다.직접 측정하기 어려운, 프로세싱 동안의 기판 온도들은, 증착된 막 특성들의 검사에 의해 또는 기판 가열 장치의 시간의 경과에 따른 전력 출력의 변화들을 측정함으로써, 결정될 수 있다.프로세싱 동안 많은 기판들에 대한 온도들이 결정되어서, 시간의 경과에 따라 기판 온도들이 어떻게 변화하는지를 보여주며, 그런 다음, 그 온도 변화들은 기계 학습 기법들을 통해 모델들을 구축하는 데 사용된다.모델들은 향후의 프로세싱 동작들에 대한 가열 장치 설정점

본 개시내용은 기판 프로세싱 동안의 온도 감지 및 제어를 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다.직접 측정하기 어려운, 프로세싱 동안의 기판 온도들은, 증착된 막 특성들의 검사에 의해 또는 기판 가열 장치의 시간의 경과에 따른 전력 출력의 변화들을 측정함으로써, 결정될 수 있다.프로세싱 동안 많은 기판들에 대한 온도들이 결정되어서, 시간의 경과에 따라 기판 온도들이 어떻게 변화하는지를 보여주며, 그런 다음, 그 온도 변화들은 기계 학습 기법들을 통해 모델들을 구축하는 데 사용된다.모델들은 향후의 프로세싱 동작들에 대한 가열 장치 설정점들을 조정하는 데 사용된다.

대표청구항 ▼

프로세스 챔버 내의 복수의 기판들 상에서 복수의 기판 프로세싱 동작들을 수행하는 단계 ― 상기 복수의 기판 프로세싱 동작들 각각 동안 상기 복수의 기판들 중 하나의 기판이 프로세싱됨 ―; 상기 복수의 기판 프로세싱 동작들 동안 상기 복수의 기판들 각각의 기판 온도 변화를 결정하는 단계; 상기 복수의 기판들 각각의 기판 온도에 기반하는 기판 온도 변화 모델에 측정된 프로세스 변수들을 입력하는 단계 ― 상기 기판 온도 변화 모델은, 를 포함하고, 여기서, W1은 제1 기판에 대한 제1 기판 카운트이고, W2는 상기 제1 기판에 대한 제

프로세스 챔버 내의 복수의 기판들 상에서 복수의 기판 프로세싱 동작들을 수행하는 단계 ― 상기 복수의 기판 프로세싱 동작들 각각 동안 상기 복수의 기판들 중 하나의 기판이 프로세싱됨 ―; 상기 복수의 기판 프로세싱 동작들 동안 상기 복수의 기판들 각각의 기판 온도 변화를 결정하는 단계; 상기 복수의 기판들 각각의 기판 온도에 기반하는 기판 온도 변화 모델에 측정된 프로세스 변수들을 입력하는 단계 ― 상기 기판 온도 변화 모델은, 를 포함하고, 여기서, W1은 제1 기판에 대한 제1 기판 카운트이고, W2는 상기 제1 기판에 대한 제2 기판 카운트이고, 및 는 각각 W1로부터 W2까지의 내측 구역 및 외측 구역의 총 온도 변화이고, 그리고 및 는 각각 내측 구역 온도 및 외측 구역 온도의 변화율(rate of change)임 ―; 및 상기 기판 온도 변화 모델의 출력에 대한 응답으로 상기 프로세스 챔버의 기판 지지부 내의 가열기 장치의 온도 또는 전력 설정점들 중 하나 이상을 제어하는 단계를 포함하는, 방법.