초록

본 발명의 반도체 제조 장치용 히터는, AlN 세라믹 기체의 내부에 발열체가 매설된 반도체 제조 장치용 히터로서, AlN 세라믹 기체는, 불순물 원소로서 O, C, Ti, Ca, Y를 포함하고, Ti/Ca의 질량비가 0.13 이상이며, XRD 프로파일에서는 TiN상이 확인되지 않는 것이다.

대표청구항

AlN 세라믹 기체의 내부에 발열체가 매설된 반도체 제조 장치용 히터로서,상기 AlN 세라믹 기체는, O, C, Ti, Ca, Y를 포함하며 결정상으로서 이트륨알루미네이트상을 포함하고, Ti/Ca의 질량비가 0.13 이상이며, CuKα선을 이용하여 측정한 XRD 프로파일에서는 TiN상이 확인되지 않고, 상기 AlN 세라믹 기체의 Ti 함유율이 18 질량ppm 이상 95 질량ppm 이하이고, 상기 AlN 세라믹 기체는 정전 전극 또는 RF 전극을 갖는 것인 반도체 제조 장치용 히터.

AlN 세라믹 기체의 내부에 발열체가 매설된 반도체 제조 장치용 히터로서,상기 AlN 세라믹 기체는, O, C, Ti, Ca, Y를 포함하며 결정상으로서 이트륨알루미네이트상을 포함하고, Ti/Ca의 질량비가 0.13 이상이며, CuKα선을 이용하여 측정한 XRD 프로파일에서는 TiN상이 확인되지 않고, 상기 AlN 세라믹 기체의 Ti 함유율이 18 질량ppm 이상 95 질량ppm 이하이고, 상기 AlN 세라믹 기체는 정전 전극 또는 RF 전극을 갖는 것인 반도체 제조 장치용 히터.