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연합인증

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성막장치 및 성막방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C23C-014/12
  • B05D-001/00
  • B05D-003/06
  • C23C-014/24
  • C23C-014/58
출원번호 10-2020-7036892 (2020-12-22)
공개번호 10-2021-0011443 (2021-02-01)
등록번호 10-2461306-0000 (2022-10-26)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2018-226773 (2018-12-03)
국제출원번호 PCT/JP2019/034003 (2019-08-29)
국제공개번호 WO 2020/115962 (2020-06-11)
번역문제출일자 2020-12-22
DOI http://doi.org/10.8080/1020207036892
발명자 / 주소
  • 카토, 유코 / 일본국 ******* 가나가와껭 찌가사끼시 하기소노 ****반찌 가부시키가이샤 아루박 내
  • 야지마, 타카히로 / 일본국 ******* 가나가와껭 찌가사끼시 하기소노 ****반찌 가부시키가이샤 아루박 내
  • 나카무라, 후미오 / 일본국 ******* 가나가와껭 찌가사끼시 하기소노 ****반찌 가부시키가이샤 아루박 내
  • 우에, 요시노부 / 일본국 ******* 가나가와껭 찌가사끼시 하기소노 ****반찌 가부시키가이샤 아루박 내
  • 오구라, 쇼고 / 일본국 ******* 가나가와껭 찌가사끼시 하기소노 ****반찌 가부시키가이샤 아루박 내
출원인 / 주소
  • 가부시키가이샤 아루박 / 일본 가나가와껭 찌가사끼시 하기소노 ****반찌
대리인 / 주소
  • 특허법인 무한
심사청구여부 있음 (2020-12-22)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록 ▼

기판 상에 양호한 막두께 분포로 수지층을 형성한다.성막장치에서, 냉각 스테이지는, 기판을 지지하는 지지면과 지지면에 연속하는 측면부를 가지고, 지지면에 지지되는 상기 기판의 외주단이 측면부로부터 돌출하도록 구성된다.방착 프레임부는 환 형상이고, 냉각 스테이지의 측면부를 둘러싸도록 배치되고, 기판의 상기 외주단에 대향하는 위치에 요부가 설치되고, 요부에 의해 측면부가 둘러싸인다.가스 공급부는 지지면을 향해 에너지선 경화수지를 포함하는 원료가스를 공급한다.조사원은 지지면에 대향하고, 에너지선 경화수지를 경화시키는 에너지선을 상기 지지면

대표청구항 ▼

기판을 지지하는 지지면과 상기 지지면에 연속하는 측면부를 가지고, 상기 지지면에 지지되는 상기 기판의 외주단이 상기 측면부로부터 돌출하도록 구성된 냉각 스테이지와, 상기 냉각 스테이지의 상기 측면부를 둘러싸도록 배치되고, 상기 기판의 상기 외주단에 대향하는 위치에 요부가 설치되고, 상기 요부에 의해 상기 측면부가 둘러싸인 환 형상의 방착 프레임부와, 상기 지지면을 향해 에너지선 경화수지를 포함하는 원료가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 지지면에 대향하고, 상기 에너지선 경화수지를 경화시키는 에너지선을 상기 지지면을 향해 조사하는

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [일본] SUSCEPTOR FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL FILM FORMING DEVICE | AIGO TAKASHI, TSUGE HIROSHI, HOSHINO TAIZO, FUJIMOTO TATSUO, KATSUNO MASAKAZU, NAKABAYASHI MASASHI, YASHIRO HIROKATSU
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  2. [일본] APPARATUS AND METHOD FOR FORMING FILM | KATO HIROKO, YAJIMA TAKAHIRO, SHIMODA KEISUKE, UCHIDA KAZUYA, OMORI DAISUKE
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