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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0003655 (2021-01-12) | |
등록번호 | 10-2242198-0000 (2021-04-14) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210003655 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-01-12) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극의 본딩 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극의 본딩 방법으로서, (1) 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극의 본딩을 위한 접착제를 준비하는 단계; (2) 상기 단계 (1)을 통해 준비된 접착제를 실리콘 전극의 그라파이트에 도포하는 단계; (3) 상기 단계 (2)를 통해 접착제가 도포된 그라파이트에 실리콘을 접착하는 단계; 및 (4) 상기 단계 (3)을 통해 실리콘이 접착된 실리콘 전극을 경화시키는 단계를 포함하는 것
반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극의 본딩 방법으로서,(1) 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 본딩을 위한 접착제(120)를 준비하는 단계;(2) 상기 단계 (1)을 통해 준비된 접착제(120)를 실리콘 전극(100)의 그라파이트(110)에 도포하는 단계;(3) 상기 단계 (2)를 통해 접착제(120)가 도포된 그라파이트(110)에 실리콘(130)을 접착하는 단계; 및(4) 상기 단계 (3)을 통해 실리콘(130)이 접착된 실리콘 전극(100)을 경화시키는 단계를 포함하되,상기 접착제(120)는,비
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