초록

본딩된 반도체 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼간의 디본딩이 프리디본딩과 메인디본딩의 2단계에 걸쳐 진행되는 본딩 및 디본딩 방법이 개시된다.반도체 웨이퍼에 발포에 의해 접착력이 약화되는 발포접착층을 구비한 접착테이프로 캐리어 웨이퍼를 접착시킨다.반도체 웨이퍼의 그라인딩과 스퍼터링 후에 발포접착층을 발포시키고, 반도체 웨이퍼를 링프레임에 실장한다.그리고 나서, 발포접착층을 가열하여 접착력을 약화시키고 캐리어 웨이퍼를 반도체 웨이퍼로부터 분리한다.

대표청구항 ▼

반도체 웨이퍼의 패키징을 위한 디본딩용 접착테이프로서,테이프의 외형을 이루는 박막 형상의 기재; 및상기 기재의 적어도 어느 한 면에 형성되며, 발포 전에는 상온에서 접착력이 가장 강하고, 제1온도로 가열 시 발포에 의해 접착력이 약화되고, 발포된 후에는 온도가 낮을수록 접착력이 증가하되 상온에서는 발포 전에 비해 접착력이 약한 특성을 갖는 발포접착층;상기 기재의 상기 발포접착층이 형성된 면의 이면에 형성되며, 발포 전의 상기 발포접착층보다 낮은 접착력을 가지며, 발포된 후 냉각된 상기 발포접착층을 제2온도로 가열 시의 상기 발포접착

반도체 웨이퍼의 패키징을 위한 디본딩용 접착테이프로서,테이프의 외형을 이루는 박막 형상의 기재; 및상기 기재의 적어도 어느 한 면에 형성되며, 발포 전에는 상온에서 접착력이 가장 강하고, 제1온도로 가열 시 발포에 의해 접착력이 약화되고, 발포된 후에는 온도가 낮을수록 접착력이 증가하되 상온에서는 발포 전에 비해 접착력이 약한 특성을 갖는 발포접착층;상기 기재의 상기 발포접착층이 형성된 면의 이면에 형성되며, 발포 전의 상기 발포접착층보다 낮은 접착력을 가지며, 발포된 후 냉각된 상기 발포접착층을 제2온도로 가열 시의 상기 발포접착층보다 높은 접착력을 갖는 저접착층;을 포함하여 구성되며,상기 제1온도는 125℃ 이상이고 160℃ 이하이며,상기 제2온도는 45℃ 이상이고 80℃ 이하인 것을 특징으로 하는 디본딩용 접착테이프.