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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0025385 (2021-02-25) | |
공개번호 | 10-2022-0121400 (2022-09-01) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210025385 | |
발명자 / 주소 | ||
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법적상태 | 공개 |
EUV 리소그래피용 블랭크마스크는, 기판, 반사막, 캡핑막, 식각저지막, 및 위상반전막을 구비하며, 식각저지막은 몰리브데늄(Mo), 실리콘(Si), 및 질소(N)를 포함하는 물질로 형성된다.식각저지막이 몰리브데늄(Mo)을 포함한 실리콘 화합물로 형성되므로, E-beam Repair 시 Repair 속도를 향상시킬 수 있다.
기판, 상기 기판 상에 형성된 반사막, 상기 반사막 상에 형성된 캡핑막, 상기 캡핑막 상에 형성된 식각저지막, 및 상기 식각저지막 상에 형성된 위상반전막을 포함하며,상기 식각저지막은 몰리브데늄(Mo)을 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
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