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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0053875 (2021-04-26) | |
공개번호 | 10-2022-0108686 (2022-08-03) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020210011135 (2021-01-27) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210053875 | |
발명자 / 주소 | ||
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법적상태 | 공개 |
EUV 용 블랭크마스크는 기판 상에 형성된 반사막 및 반사막 상에 형성된 위상반전막을 구비한다.위상반전막은 루테늄(Ru) 및 크롬(Cr)을 포함하는 물질로 형성된다.위상반전막은 3~30% 의 상대반사율을 가지고, 170~220°의 위상반전량을 가지며, 0.5nmRMS 이하의 표면 거칠기를 갖는다.이러한 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크를 이용하여, 최종적으로 7nm 이하의 패턴 제작 시 우수한 해상도(Resolution)을 얻을 수 있다.
기판;상기 기판 상에 형성된 반사막; 및상기 반사막 상에 형성된 위상반전막;을 포함하며,상기 위상반전막은 루테늄(Ru) 및 크롬(Cr)을 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.
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