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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0048344 (2021-04-14) | |
공개번호 | 10-2021-0130104 (2021-10-29) | |
등록번호 | 10-2567180-0000 (2023-08-10) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2020-075286 (2020-04-21) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210048344 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2023-03-27) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 기판 상에, EUV광을 반사하는 반사층과, EUV광을 흡수하는 흡수층이 이 순으로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크이며, 상기 흡수층이, 탄탈(Ta)과, 니오븀(Nb)을 함유하고, (러더포드 후방 산란 분광법(RBS)으로 측정되는) 상기 흡수층에 있어서의 Ta와 Nb의 조성비(at%)(Ta:Nb)가 4:1 내지 1:4의 범위이며, out of plane XRD법으로, 2θ: 20° 내지 50°에 관측되는 흡수층 유래의 회절 피크 중, 가장 강도가 높은 피크의 반값폭 FWHM이 1.0° 이상인 것을 특징으로
기판 상에, EUV광을 반사하는 반사층과, EUV광을 흡수하는 흡수층이 이 순으로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크이며,상기 흡수층이, 탄탈(Ta)과, 니오븀(Nb)을 함유하고, 상기 흡수층에 있어서의 Ta(at%)과 Nb(at%)의 조성비(Ta:Nb)가 4:1 내지 1:4의 범위이며, 상기 흡수층이, N을 15.0 내지 30.0at% 함유하고,out of plane XRD법으로, 2θ: 20° 내지 50°에 관측되는 흡수층 유래의 회절 피크 중, 가장 강도가 높은 피크의 반값폭 FWHM이 1.0° 이상인 것을 특징으
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