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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0121109 (2021-09-10) | |
공개번호 | 10-2021-0116391 (2021-09-27) | |
등록번호 | 10-2407902-0000 (2022-06-08) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2014-088406 (2014-04-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210121109 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-09-10) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
과제시트 저항이 낮고, 표면 평활성이 우수한 도전막을 갖는 EUV 마스크 블랭크용 도전막이 형성된 기판의 제공.해결 수단기판 상에 도전막이 형성된, EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제조에 사용되는 도전막이 형성된 기판으로서, 상기 도전막이 기판측에 형성되는 층 (하층) 과 상기 하층 상에 형성되는 층 (상층) 의 적어도 2 층을 갖고, 상기 도전막의 하층이 크롬 (Cr) 및 질소 (N) 를 함유하는 CrN 계 막이고, 상기 도전막의 상층이 Cr, N 및 산소 (O) 를 함유하는 CrON 계 막이고, 상기 CrN 계 막은
기판 상에 도전막이 형성된, EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제조에 사용되는 도전막이 형성된 기판으로서,상기 도전막이 기판측에 형성되는 층 (하층) 과 상기 하층 상에 형성되는 층 (상층) 의 적어도 2 층을 갖고,상기 하층과 상기 기판 사이에 제 2 하층을 추가로 갖고,상기 도전막의 하층이 크롬 (Cr) 및 질소 (N) 를 함유하는 CrN 계 막이고,상기 CrN 계 막은 Cr 및 N 의 합계 함유율이 85 at% 이상이고, 또한 Cr 과 N 의 조성비 (원자비) 가 Cr:N = 9.5:0.5 ∼ 3:7 이고,상기 도전막
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