가와하라 히로토모
/ 미국 ***** 캘리포니아주 쿠퍼티노 스위트*** 스티븐슨 크릭 블러바드 ***** 에이지씨 비즈니스 디벨롭먼트 아메리카즈 내
하네카와 히로시
/ 일본 ******* 후쿠시마 고리야마시 마치이케다이 *쵸메 * 에이지씨 일렉트로닉스 사 내
우노 도시유키
/ 일본 ******* 후쿠시마 고리야마시 마치이케다이 *쵸메 * 에이지씨 일렉트로닉스 사 내
아키타 마사후미
/ 일본 ******* 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고 에이지씨 가부시키가이샤 내
출원인 / 주소
에이지씨 가부시키가이샤 / 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고
대리인 / 주소
장수길;
이석재
법적상태
공개
초록▼
흡수층의 에칭 조건에 있어서의 에칭 선택비가 충분히 높고, 또한 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 사용한 드라이 에칭 프로세스에 있어서, 충분한 에칭 속도를 갖는 하드마스크층을 구비한, EUV 마스크 블랭크의 제공을 과제로 한다.본 발명은, 기판 상(11)에, EUV광을 반사하는 반사층(12)과, 루테늄(Ru)을 함유하는 보호층(13)과, 탄탈(Ta)을 함유하고, EUV광을 흡수하는 흡수층(14)과, 하드마스크층(16)이, 이 순으로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크에 있어서, 상기 하드마스크층(16)이, 크롬(
흡수층의 에칭 조건에 있어서의 에칭 선택비가 충분히 높고, 또한 염소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 사용한 드라이 에칭 프로세스에 있어서, 충분한 에칭 속도를 갖는 하드마스크층을 구비한, EUV 마스크 블랭크의 제공을 과제로 한다.본 발명은, 기판 상(11)에, EUV광을 반사하는 반사층(12)과, 루테늄(Ru)을 함유하는 보호층(13)과, 탄탈(Ta)을 함유하고, EUV광을 흡수하는 흡수층(14)과, 하드마스크층(16)이, 이 순으로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크에 있어서, 상기 하드마스크층(16)이, 크롬(Cr)과, 질소(N) 및 산소(O) 중 적어도 한쪽을 함유하고, 막 밀도가 3.00 내지 5.40g/㎤이도록 구성하였다.
대표청구항
기판 상에, EUV광을 반사하는 반사층과, 상기 반사층의 보호층과, EUV광을 흡수하는 흡수층과, 하드마스크층이, 이 순으로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크이며,상기 보호층이, 루테늄(Ru)을 함유하고,상기 흡수층이, 탄탈(Ta)을 함유하고,상기 하드마스크층이, 크롬(Cr)과, 질소(N) 및 산소(O) 중 적어도 한쪽을 함유하고,상기 하드마스크층의 막 밀도가 3.00 내지 5.40g/㎤인 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
기판 상에, EUV광을 반사하는 반사층과, 상기 반사층의 보호층과, EUV광을 흡수하는 흡수층과, 하드마스크층이, 이 순으로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크이며,상기 보호층이, 루테늄(Ru)을 함유하고,상기 흡수층이, 탄탈(Ta)을 함유하고,상기 하드마스크층이, 크롬(Cr)과, 질소(N) 및 산소(O) 중 적어도 한쪽을 함유하고,상기 하드마스크층의 막 밀도가 3.00 내지 5.40g/㎤인 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
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