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[한국특허] 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G03F-001/24
  • G03F-001/26
출원번호 10-2021-0053875 (2021-04-26)
공개번호 10-2022-0108686 (2022-08-03)
우선권정보 대한민국(KR) 1020210011135 (2021-01-27)
DOI http://doi.org/10.8080/1020210053875
발명자 / 주소
  • 양철규 / 대구광역시 달서구 호산동로 ** (호림동)
  • 이종화 / 대구광역시 달서구 호산동로 ** (호림동)
  • 신철 / 대구광역시 달서구 호산동로 ** (호림동)
출원인 / 주소
  • 주식회사 에스앤에스텍 / 대구광역시 달서구 호산동로 ** (호림동)
대리인 / 주소
  • 허성원; 이동욱; 서동헌
법적상태 공개

초록

EUV 용 블랭크마스크는 기판 상에 형성된 반사막 및 반사막 상에 형성된 위상반전막을 구비한다.위상반전막은 루테늄(Ru) 및 크롬(Cr)을 포함하는 물질로 형성된다.위상반전막은 3~30% 의 상대반사율을 가지고, 170~220°의 위상반전량을 가지며, 0.5nmRMS 이하의 표면 거칠기를 갖는다.이러한 블랭크마스크를 이용하여 제작된 포토마스크를 이용하여, 최종적으로 7nm 이하의 패턴 제작 시 우수한 해상도(Resolution)을 얻을 수 있다.

대표청구항

기판;상기 기판 상에 형성된 반사막; 및상기 반사막 상에 형성된 위상반전막;을 포함하며,상기 위상반전막은 루테늄(Ru) 및 크롬(Cr)을 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크.

발명자의 다른 특허 :

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