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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0069229 (2021-05-28) | |
등록번호 | 10-2440203-0000 (2022-08-31) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210069229 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-05-28) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 ESD 보호용 반도체 소자는 반도체 기판상에 형성되어 입력단과 접지단사이에 연결되며, PNP 트랜지스터와 NPN 트랜지스터로 구성된 SCR 소자; 상기 반도체 기판상에 형성되어, 상기 입력단과 접지단사이에 상기 SCR 소자와 병렬로 연결되는 제1다이오드: 및 상기 반도체 기판상에 형성되어, 상기 SCR 소자와 접지단 사이에 연결되는 제2다이오드를 포함한다. 상기 제1다이오드는 상기 입력단에 인가되는 네가티브 ESD(electrostatic discharge)를 상기 접지단으로 바이패스시켜 주고, 상기 제2다이오드는 상기
반도체 기판상에 형성되어 입력단과 접지단사이에 연결되며, PNP 트랜지스터와 NPN 트랜지스터로 구성된 SCR 소자;상기 반도체 기판상에 형성되어, 상기 입력단과 접지단사이에 상기 SCR 소자와 병렬로 연결되는 제1다이오드: 및상기 반도체 기판상에 형성되어, 상기 SCR 소자와 접지단 사이에 연결되는 제2다이오드를 포함하되,상기 반도체 기판은상부에 P- 형 에피층이 구비된 P++ 형 기판이고,상기 제1다이오드는 상기 입력단에 인가되는 네가티브 ESD(electrostatic discharge)를 상기 접지단으로 바이패스시켜 주는 P
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