최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2021-0128833 (2021-09-29) | |
공개번호 | 10-2022-0058414 (2022-05-09) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020200143700 (2020-10-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210128833 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
법적상태 | 공개 |
본 발명의 일실시예는, 유전체 층 및 금속 전극부를 포함하는 적어도 하나의 베이스 웨이퍼에 관통 비아(through-base wafer via)를 형성하는 단계를 포함하는 화학 기계적 연마 방법으로서, 상기 단계는, 제1 화학 기계적 연마(CMP) 슬러리를 이용하여 상기 유전체 층의 적어도 일부를 제거하여 상기 금속 전극부를 노출시키는 제1 화학 기계적 연마 공정; 및 제2 화학 기계적 연마(CMP) 슬러리를 이용하여 상기 금속 전극부의 적어도 일부를 제거하는 제2 화학 기계적 연마 공정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적
유전체 층 및 금속 전극부를 포함하는 적어도 하나의 베이스 웨이퍼에 관통 비아(through-base wafer via)를 형성하는 단계를 포함하는 화학 기계적 연마 방법으로서, 상기 단계는,제1 화학 기계적 연마(CMP) 슬러리를 이용하여 상기 유전체 층의 적어도 일부를 제거하여 상기 금속 전극부를 노출시키는 제1 화학 기계적 연마 공정; 및제2 화학 기계적 연마(CMP) 슬러리를 이용하여 상기 금속 전극부의 적어도 일부를 제거하는 제2 화학 기계적 연마 공정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.