[특허]3족 질화물 반도체 소자를 제조하는 방법

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3족 질화물 반도체 소자를 제조하는 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/66 H01L-029/20 H01L-029/205
출원번호	10-2022-0054179 (2022-05-02)
공개번호	10-2022-0058523 (2022-05-09)
등록번호	10-2593010-0000 (2023-10-18)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020220054179
발명자 / 주소	장태진 / 서울특별시 송파구 동남로 *, 동 ***호(가락동, 가락쌍용아파트)
출원인 / 주소	웨이브로드 주식회사 / 경기도 화성시 향남읍 발안로 *-
대리인 / 주소	박길환; 임종승; 김갑수
심사청구여부	있음 (2022-05-02)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록

본 개시는 3족 질화물 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서, 성장 기판에 채널층과 배리어층을 구비하는 3족 질화물 반도체 구조를 성장시키는 단계; 성장 기판에 대향하는 3족 질화물 반도체 구조 측에 금속 접합층을 통해 임시 기판을 부착하는 단계; 성장 기판을 제거하는 단계; 성장 기판이 제거된 측의 3족 질화물 반도체 구조에 방열 기판을 결합하는 단계; 그리고, 임시 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 3족 질화물 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

3족 질화물 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서,성장 기판에 씨앗 및 버퍼 층, 결함 제어 및 억제 층, 채널층 및 배리어층을 구비하는 3족 질화물 반도체 구조를 성장시키는 단계;성장 기판에 대향하는 3족 질화물 반도체 구조 측에 금속 결합층을 통해 임시 기판을 부착하는 단계;성장 기판을 제거하는 단계;성장 기판이 제거된 측의 3족 질화물 반도체 구조에 접착층을 통해 방열 기판을 결합하는 단계; 그리고,임시 기판을 제거하는 단계;를 포함하고,임시 기판은 투광성 기판이며,임시 기판과 금속 결합층 사이에 임시 기판의 분리를 위한 희생층이 구비되어 있고,임시 기판을 부착하는 단계에 앞서, 성장 기판에 대향하는 측에서 3족 질화물 반도체 구조에 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하며,3족 질화물 반도체 구조, 보호층, 금속 결합층, 희생층, 임시 기판이 순차로 적층된 상태에서 희생층에 대한 레이저 어블레이션을 통해 임시 기판이 제거되고, 희생층은, 레이저 어블레이션을 통해 임시 기판을 분리할 때 레이저 빛을 흡수하여 광-열화학 분해 반응(Photon-Thermochemical Decomposition Interaction)을 일으킬 수 있는 물질로 형성되고,금속 결합층은, 접착층을 통해 방열 기판을 성장 기판이 제거된 측의 3족 질화물 반도체 구조에 결합할 때 열이 발생되어도, 결합력이 유지될 수 있도록 유텍틱(Eutectic) 물질로 형성되고,결함 제어 및 억제 층은, 성장되는 채널층 및 배리어층의 결함을 억제하고 스트레스를 조절하기 위해, 실리콘이 도핑되고 알루미늄이 풍부한 AlGaN(Si-doped Al-rich AlGaN)으로 형성되는, 3족 질화물 반도체 소자를 제조하는 방법.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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