[특허]적층형 실리콘 캐패시터 및 이의 제조 방법

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적층형 실리콘 캐패시터 및 이의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01G-004/30 H01G-004/008
출원번호	10-2021-0150621 (2021-11-04)
공개번호	10-2022-0165624 (2022-12-15)
우선권정보	대한민국(KR) 1020210074398 (2021-06-08)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020210150621
발명자 / 주소	김태동 / 경기도 화성시 동탄기흥로*번길 , **동 호 (오산동, 동탄역 에일린의뜰) 이동기 / 경기도 화성시 병점동로 -, **호 (진안동) 박영열 / 경기도 용인시 수지구 성복로 *, 동 **호 (성복동, 버들치마을 성복자이차)
출원인 / 주소	앨로힘 주식회사 / 대전광역시 유성구 테크노로 -, 동 *층 (관평동)
대리인 / 주소	특허법인 남앤남
심사청구여부	있음 (2021-11-04)
법적상태	공개

초록

본 발명의 일 실시 예는 유전상수가 다른 제1 유전층 및 제2 유전층을 다층으로 구성한 유전층을 형성하여 초고주파에서 물성 변화를 최소화한 적층형 실리콘 캐패시터 및 이의 제조 방법을 제공한다.

대표청구항

적층형 실리콘 캐패시터로서, 제1 전극 및 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 실리콘 유전체 재료로 이루어진 제1 유전층 및 제2 유전층이 적층되어 형성된 유전층을 포함하고, 상기 제1 유전층의 유전상수는 상기 제2 유전층의 유전상수보다 큰, 적층형 실리콘 캐패시터.

이 특허에 인용된 특허 (4)

[한국] 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 | 양택승
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[한국] 반도체 장치 및 그 제조 방법 | 이상영, 박경웅, 김한준
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[미국] Semiconductor device and method for producing the same | Harada, Yoshinao
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[일본] MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME | SUGITA HIROAKI
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관련 콘텐츠

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IPC 상위 출원인

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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