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하이케이(High-K) 유전체 물질을 이용한 MIM 캐패시터 및 이의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-049/02
출원번호 10-2021-0161450 (2021-11-22)
공개번호 10-2022-0165626 (2022-12-15)
우선권정보 대한민국(KR) 1020210074389 (2021-06-08)
DOI http://doi.org/10.8080/1020210161450
발명자 / 주소
  • 임승구 / 경기도 화성시 동탄지성로 ***-**, ***동 ***호 (기산동, 에스케이뷰파크 *차)
  • 차지훈 / 서울특별시 노원구 공릉로**가길 **, B동 ***호 (공릉동)
  • 이동기 / 인천광역시 미추홀구 숙골로***번길 **, ***동 ****호 (도화동, 도화서희스타힐스)
  • 김태동 / 경기도 화성시 동탄기흥로***번길 **, ****동 ****호 (오산동, 동탄역 에일린의뜰)
  • 박영열 / 경기도 용인시 수지구 성복*로 ***, ***동 ****호 (성복동, 버들치마을 성복자이*차)
출원인 / 주소
  • 앨로힘 주식회사 / 대전광역시 유성구 테크노*로 **-**, *동 *층 (관평동)
대리인 / 주소
  • 특허법인 남앤남
심사청구여부 있음 (2021-11-22)
법적상태 공개

초록

본 발명의 일 실시 예는 유전상수가 높은 High-K 물질로 이루어진 유전층과 금속 재질의 하부 전극 사이에 금속성의 제1 막질과 유전층과 상부 전극 사이에 금속성의 제2 막질을 적층하도록 하여, 하부 전극과 유전층 사이 및 상부 전극과 유전층 사이에 산소 계열의 계면막이 형성되는 것을 방지하는 하이케이(HIGH-K)를 이용한 MIM 캐패시터 및 이의 제조 방법을 제공한다.

대표청구항

MIM(Metal Insulator Metal) 캐패시터로서, 금속으로 이루어진 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 증착된 제1 막질; 상기 제1 막질 상에 증착되는 유전층;상기 유전층 상에 증착되는 제2 막질; 및상기 제2 막질 상에 금속으로 이루어진 상부 전극을 포함하고, 상기 제1 막질 및 상기 제2 막질은 상기 유전층의 메탈 성분으로 이루어진 막질 및 메탈릭성(metal-rich)으로 이루어진 유전층 막질 중 어느 하나로 증착된, 캐패시터.

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