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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0150621 (2021-11-04) | |
공개번호 | 10-2022-0165624 (2022-12-15) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020210074398 (2021-06-08) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210150621 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-11-04) | |
법적상태 | 공개 |
본 발명의 일 실시 예는 유전상수가 다른 제1 유전층 및 제2 유전층을 다층으로 구성한 유전층을 형성하여 초고주파에서 물성 변화를 최소화한 적층형 실리콘 캐패시터 및 이의 제조 방법을 제공한다.
적층형 실리콘 캐패시터로서, 제1 전극 및 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 실리콘 유전체 재료로 이루어진 제1 유전층 및 제2 유전층이 적층되어 형성된 유전층을 포함하고, 상기 제1 유전층의 유전상수는 상기 제2 유전층의 유전상수보다 큰, 적층형 실리콘 캐패시터.
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