초록 ▼

본 발명은 전분 슬러리에 유기산을 0.05M 내지 0.5M의 농도가 되게 첨가하고 15~55℃에서 0.5~24 hr 동안 반응을 진행시킨 후, 염기성 용액을 첨가하고 전분 슬러리의 pH를 5~7로 조정하여 중화된 전분 슬러리를 수득하는 단계; 상기 중화된 전분 슬러리를 여과, 수세 및 건조하여 수분 함량이 5~15%(w/w)인 유기산 처리 전분을 수득하는 단계; 및 상기 유기산 처리 전분을 밀폐된 용기에 넣고 100~150℃에서 2~20 hr 동안 습열처리하여 최종 변성전분을 수득하는 단계를 포함하는 변성전분방법을 제공한다. 본 발

본 발명은 전분 슬러리에 유기산을 0.05M 내지 0.5M의 농도가 되게 첨가하고 15~55℃에서 0.5~24 hr 동안 반응을 진행시킨 후, 염기성 용액을 첨가하고 전분 슬러리의 pH를 5~7로 조정하여 중화된 전분 슬러리를 수득하는 단계; 상기 중화된 전분 슬러리를 여과, 수세 및 건조하여 수분 함량이 5~15%(w/w)인 유기산 처리 전분을 수득하는 단계; 및 상기 유기산 처리 전분을 밀폐된 용기에 넣고 100~150℃에서 2~20 hr 동안 습열처리하여 최종 변성전분을 수득하는 단계를 포함하는 변성전분방법을 제공한다. 본 발명의 방법으로 제조된 변성전분은 저항전분 함량이 적어도 35% 이상이면서, 호화시 점도가 안정적으로 발현되기 때문에 부형제, 증점제 등 일정 수준의 점도가 요구되는 다양한 분야에서 사용될 수 있다.

대표청구항 ▼

전분 슬러리에 유기산을 0.08M 내지 0.4M의 농도가 되게 첨가하고 15~30℃에서 0.5~24 hr 동안 반응을 진행시킨 후, 염기성 용액을 첨가하고 전분 슬러리의 pH를 5~7로 조정하여 중화된 전분 슬러리를 수득하는 단계;상기 중화된 전분 슬러리를 여과, 수세 및 건조하여 수분 함량이 5~14%(w/w)인 유기산 처리 전분을 수득하는 단계; 및상기 유기산 처리 전분을 밀폐된 용기에 넣고 110~150℃에서 2~20 hr 동안 습열처리하여 최종 변성전분을 수득하는 단계를 포함하는 방법으로서,상기 최종 변성전분은 저항전분 함량

전분 슬러리에 유기산을 0.08M 내지 0.4M의 농도가 되게 첨가하고 15~30℃에서 0.5~24 hr 동안 반응을 진행시킨 후, 염기성 용액을 첨가하고 전분 슬러리의 pH를 5~7로 조정하여 중화된 전분 슬러리를 수득하는 단계;상기 중화된 전분 슬러리를 여과, 수세 및 건조하여 수분 함량이 5~14%(w/w)인 유기산 처리 전분을 수득하는 단계; 및상기 유기산 처리 전분을 밀폐된 용기에 넣고 110~150℃에서 2~20 hr 동안 습열처리하여 최종 변성전분을 수득하는 단계를 포함하는 방법으로서,상기 최종 변성전분은 저항전분 함량이 35~55%이고, 50℃에서 8 중량% 농도의 호화액 점도가 1300~1900 센티포이즈(Centipoise, cPs)인 것을 특징으로 하는 변성전분 제조방법.