초록 ▼

본 발명은 반도체/디스플레이 플라즈마 화학증착공정 모니터링 전용 실시간 온도편차 보정 발광분광분석시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체/디스플레이 플라즈마 화학증착공정에서 균일한 증착막 두께와 균일한 증착막 굴절률을 제어하고 모니터링할 수 있도록, 화학증착 공정챔버의 온도, 가스농도의 변화 등에 따른 보정 인자가 반영된 균일한 발광분광분석(OES ; Optical Emission Spectromtry) Intensity 측정을 위하여, OES를 통해 얻어진 spectrum의 차이가 최소화되는 특정 기준 온도로 보정된 spe

본 발명은 반도체/디스플레이 플라즈마 화학증착공정 모니터링 전용 실시간 온도편차 보정 발광분광분석시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체/디스플레이 플라즈마 화학증착공정에서 균일한 증착막 두께와 균일한 증착막 굴절률을 제어하고 모니터링할 수 있도록, 화학증착 공정챔버의 온도, 가스농도의 변화 등에 따른 보정 인자가 반영된 균일한 발광분광분석(OES ; Optical Emission Spectromtry) Intensity 측정을 위하여, OES를 통해 얻어진 spectrum의 차이가 최소화되는 특정 기준 온도로 보정된 spectrum을 찾도록 OES로 측정된 spectrum 중 N2(질소) 가스 온도를 실시간으로 측정하고 수치적으로 계산된 spectrum을 비선형최소제곱법(Non-linear　least　squares method)을 적용하여, 증착공정 모니터링에 필요한 증착막 두께와 증착막 굴절률의 변화에 관한 정보인 실시간 온도정보(real-time temperature information(RTI))를 계산하여 제공함으로써 반도체/디스플레이 산업에 필요한 플라즈마 화학증착공정의 정밀하고 신뢰할 수 있는 균일한 양산설비를 구축할 수 있는 반도체/디스플레이 플라즈마 화학증착공정 모니터링 전용 실시간 온도편차 보정 발광분광분석시스템에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

반도체/디스플레이 플라즈마 화학증착공정챔버 내 기판의 막 두께, 막 굴절율을 포함하는 기판 특성 또는 공정챔버 내의 플라즈마 가스 농도를 포함하는 공정챔버조건에 관한 발광분광분석(Optical Emission Spectroscopy) 스펙트럼을 측정하는 스펙트럼측정부와; 상기 공정챔버 내부의 N2(질소) 가스 온도를 실시간으로 측정하고, 상기 측정된 N2(질소) 가스 온도로부터 비선형최소제곱법(Non-linear　least　squares method)에 의하여 온도보정벡터가 반영된 실시간 온도정보(real-time temperatu

반도체/디스플레이 플라즈마 화학증착공정챔버 내 기판의 막 두께, 막 굴절율을 포함하는 기판 특성 또는 공정챔버 내의 플라즈마 가스 농도를 포함하는 공정챔버조건에 관한 발광분광분석(Optical Emission Spectroscopy) 스펙트럼을 측정하는 스펙트럼측정부와; 상기 공정챔버 내부의 N2(질소) 가스 온도를 실시간으로 측정하고, 상기 측정된 N2(질소) 가스 온도로부터 비선형최소제곱법(Non-linear　least　squares method)에 의하여 온도보정벡터가 반영된 실시간 온도정보(real-time temperature information(RTI))를 추출하는 온도보정벡터추출부와; 상기 추출된 실시간 온도정보(real-time temperature information(RTI))를 반영하여 상기 스펙트럼측정부에서 측정된 스펙트럼을 보정하는 보정스펙트럼추출부와; 상기 실시간 온도정보(RTI)를 사용하여 막 두께와 막 굴절률 또는 EPD(End Point Detection)를 포함하는 수치를 계산하는 실시간정보계산분석부와; 증착공정이 완료된 후 계측장비에서 측정된 막 두께와 막 굴절률 또는 EPD(End Point Detection)를 포함하는 측정값과 실시간정보계산분석값의 상관계수를 계산하기 위한 캘리브레이션부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체/디스플레이 플라즈마 화학증착공정 모니터링 전용 실시간 온도편차 보정 발광분광분석시스템