초록

극자외선(EUV) 리소그래피를 위한 방법들 및 막 적층체들이 설명된다.막 적층체는, 하드 마스크, 최하부 층, 중간 층, 및 포토레지스트를 갖는 기판을 포함한다.포토레지스트의 식각은 중간 층에 대해 고도로 선택적이고, 중간 층의 개질은 최하부 층에 대한 고도로 선택적인 식각을 허용한다.

대표청구항 ▼

기판을 식각하는 방법으로서,패터닝된 중간 층을 형성하고 최하부 층의 부분들을 노출시키기 위해, 패터닝된 포토레지스트를 통해 기판의 중간 층을 식각하는 단계 ― 상기 기판은 그 위에 막 적층체(film stack)를 포함하고, 상기 막 적층체는 하드 마스크 상의 상기 최하부 층, 상기 최하부층 상의 상기 중간 층, 상기 중간층 상의 상기 패터닝된 포토레지스트를 포함하고, 상기 중간 층은 비정질 규소를 포함하고 상기 패터닝된 포토레지스트에 대해 선택적으로 식각됨 ―;산화규소를 포함하는 상기 패터닝된 중간 층을 개질된 패터닝된 중간 층으

기판을 식각하는 방법으로서,패터닝된 중간 층을 형성하고 최하부 층의 부분들을 노출시키기 위해, 패터닝된 포토레지스트를 통해 기판의 중간 층을 식각하는 단계 ― 상기 기판은 그 위에 막 적층체(film stack)를 포함하고, 상기 막 적층체는 하드 마스크 상의 상기 최하부 층, 상기 최하부층 상의 상기 중간 층, 상기 중간층 상의 상기 패터닝된 포토레지스트를 포함하고, 상기 중간 층은 비정질 규소를 포함하고 상기 패터닝된 포토레지스트에 대해 선택적으로 식각됨 ―;산화규소를 포함하는 상기 패터닝된 중간 층을 개질된 패터닝된 중간 층으로 변환하기 위해, 상기 기판을 반응물에 노출시키는 단계; 및패터닝된 최하부 층을 형성하고 상기 기판의 부분들을 노출시키기 위해, 상기 개질된 패터닝된 중간 층을 통해 상기 최하부 층을 식각하는 단계 ― 상기 최하부 층은 상기 개질된 패터닝된 중간 층에 대해 선택적으로 식각됨 ― 를 포함하는, 기판을 식각하는 방법.