초록 ▼

60 m/s 표준 온도 및 압력 STP의 속도로 탄소-함유 물질을 플라즈마의 열 구역을 주입하여 그래핀 나노시트를 핵화시키고, 1000℃ 이하의 켄칭 가스 그래핀 나노시트를 켄칭하는 단계를 포함하는 그래핀 나노시트를 제조하기 위한 플라즈마 공정을 제공한다. 탄소-함유 물질의 주입은 복수개의 제트를 사용하여 실시될 수 있다. 그래핀 나노시트는 514 nm의 입사 레이저 파장을 사용하여 측정되는 3 이상의 라만 G/D 비 및 0.8 이상의 2D/G 비를 가질 수 있다. 그래핀 나노시트는 적어도 80 g/h의 속도로 제조될 수 있다. 그

60 m/s 표준 온도 및 압력 STP의 속도로 탄소-함유 물질을 플라즈마의 열 구역을 주입하여 그래핀 나노시트를 핵화시키고, 1000℃ 이하의 켄칭 가스 그래핀 나노시트를 켄칭하는 단계를 포함하는 그래핀 나노시트를 제조하기 위한 플라즈마 공정을 제공한다. 탄소-함유 물질의 주입은 복수개의 제트를 사용하여 실시될 수 있다. 그래핀 나노시트는 514 nm의 입사 레이저 파장을 사용하여 측정되는 3 이상의 라만 G/D 비 및 0.8 이상의 2D/G 비를 가질 수 있다. 그래핀 나노시트는 적어도 80 g/h의 속도로 제조될 수 있다. 그래핀 나노시트는 약 0.7 중량% 미만의 다환방향족 탄화수소 농도를 가질 수 있다.

대표청구항

그래핀 나노시트의 제조를 위한 플라즈마 공정으로서, 35 kW 초과의 공급되는 플라즈마 토치 전력으로 그리고 적어도 60 m/s의 속도로 플라즈마 토치의 인젝션 노즐을 통해 탄소-함유 물질을 플라즈마의 열 구역으로 주입하고, 이에 의해 적어도 80 g/h의 비율(rate)로 상기 그래핀 나노시트를 제조하는 단계를 포함하고,상기 그래핀 나노시트는 0.7 중량% 미만의 다환방향족 탄화수소 농도를 가지며,켄칭 가스가 상기 플라즈마 토치 내로 그리고 상기 탄소-함유 물질과는 별도로 주입되는, 그래핀 나노시트의 제조를 위한 플라즈마 공정.

그래핀 나노시트의 제조를 위한 플라즈마 공정으로서, 35 kW 초과의 공급되는 플라즈마 토치 전력으로 그리고 적어도 60 m/s의 속도로 플라즈마 토치의 인젝션 노즐을 통해 탄소-함유 물질을 플라즈마의 열 구역으로 주입하고, 이에 의해 적어도 80 g/h의 비율(rate)로 상기 그래핀 나노시트를 제조하는 단계를 포함하고,상기 그래핀 나노시트는 0.7 중량% 미만의 다환방향족 탄화수소 농도를 가지며,켄칭 가스가 상기 플라즈마 토치 내로 그리고 상기 탄소-함유 물질과는 별도로 주입되는, 그래핀 나노시트의 제조를 위한 플라즈마 공정.