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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-7039595 (2021-12-02) | |
공개번호 | 10-2022-0020806 (2022-02-21) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2019-109990 (2019-06-13) | |
국제출원번호 | PCT/JP2020/021769 (2020-06-02) | |
국제공개번호 | WO 2020/250751 (2020-12-17) | |
번역문제출일자 | 2021-12-02 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020217039595 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
에칭 방법은, 에칭 대상막이 형성된 피처리체를 냉각하면서, 제1 처리 가스의 압력이 피처리체의 온도에 대한 상기 제1 처리 가스의 포화 증기압보다 작은 조건 하에서 상기 제1 처리 가스에 기초한 흡착물을 에칭 대상막에 물리 흡착시키는 물리 흡착 공정과, 흡착물과 에칭 대상막을 제2 처리 가스의 플라즈마에 의해 반응시킴으로써, 에칭 대상막을 에칭하는 에칭 공정을 포함한다.
에칭 방법으로서,에칭 대상막이 형성된 피처리체를 냉각하면서, 제1 처리 가스의 압력이 상기 피처리체의 온도에 대한 상기 제1 처리 가스의 포화 증기압보다 작은 조건 하에서 상기 제1 처리 가스에 기초한 흡착물을 상기 에칭 대상막에 물리 흡착시키는 물리 흡착 공정과,상기 흡착물과 상기 에칭 대상막을 제2 처리 가스의 플라즈마에 의해 반응시킴으로써, 상기 에칭 대상막을 에칭하는 에칭 공정을 포함하는, 에칭 방법.
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