최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2022-0047291 (2022-04-18) | |
공개번호 | 10-2022-0145769 (2022-10-31) | |
우선권정보 | 미국(US) 63/178,038 (2021-04-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220047291 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
법적상태 | 공개 |
포토레지스트 언더레이어와 접착 층을 포함한 구조체, 및 포토레지스트 언더레이어와 접착 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법이 개시된다. 예시적인 방법은, 포토레지스트 언더레이어를 형성하는 단계, 및 주기적 증착 공정을 사용하여 접착 층을 형성하는 단계를 포함한다. 접착 층은 포토레지스트 언더레이어를 형성하는 데 사용된 것과 동일한 반응 챔버 내에 형성될 수 있다.
포토레지스트 언더레이어(underlayer)를 포함한 구조체를 형성하는 방법으로서, 상기 방법은,기판을 반응 챔버 내에 제공하는 단계;상기 기판의 표면 위에 포토레지스트 언더레이어를 형성하는 단계; 및제1 주기적 증착 공정을 사용하여 상기 포토레지스트 언더레이어 위에 접착 층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 접착 층을 형성하는 단계는,실리콘 전구체를 상기 반응 챔버에 제공하는 단계;불활성 가스를 상기 반응 챔버 내에 제공하는 단계; 및상기 실리콘 전구체 또는 이의 유도체와 반응하여 상기 접착 층을 형성하는 활성화된 종을 형성하도록
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.