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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-0087219 (2022-07-14) | |
공개번호 | 10-2023-0011896 (2023-01-25) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020210092201 (2021-07-14) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220087219 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-07-14) | |
법적상태 | 공개 |
본 발명은 반도체 기판의 표면을 습식 세정하는 습식 세정 단계와, 반도체 기판을 건조하는 건조 단계 및 반도체 기판을 건식 세정하는 건식 세정 단계를 포함하며, 건식 세정 단계는 HF 가스를 포함하는 세정 가스와, H2O 가스 및 D2O에서 선택되는 적어도 하나의 패시베이션 가스를 포함하는 반응 가스를 반도체 기판의 표면으로 공급하여 진행되는 반도체 기판 세정 방법을 개시한다.
반도체 기판의 표면을 습식 세정하는 습식 세정 단계와,상기 반도체 기판을 건조하는 건조 단계 및상기 반도체 기판을 건식 세정하는 건식 세정 단계를 포함하며,상기 건식 세정 단계는HF 가스를 포함하는 세정 가스와, H2O 가스 및 D2O가스에서 선택되는 적어도 하나의 패시베이션 가스를 포함하는 반응 가스를 상기 반도체 기판의 표면으로 공급하여 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 세정 방법.
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