최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2022-0136833 (2022-10-21) | |
공개번호 | 10-2024-0056319 (2024-04-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220136833 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
법적상태 | 공개 |
본 발명의 기술적 사상은, 반도체 생산 공정에서 자동으로 정확하게 결함을 진단하여 웨이퍼 수율을 개선할 수 있는 웨이퍼 수율 개선 방법을 제공한다.그 웨이퍼 수율 개선 방법은, 반도체 생산 공정 과정에서 웨이퍼가 팹 인(Fab-in)되어 팹 아웃(Fab-out)될 때까지 각각의 공정 스텝을 거칠 때마다 센서 데이터를 추출하여 모으는 제1 단계; 추출된 각각의 상기 센서 데이터의 FDC 파라미터를 분석하는 제2 단계; 적어도 하나의 불량 모드에 대하여 상기 불량 모드의 기준이 되는 임계값을 설정하는 제3 단계; 상기 FDC 파라미터의
반도체 생산 공정에서 웨이퍼가 팹 인(Fab-in)되어 팹 아웃(Fab-out)될 때까지 각각의 공정 스텝을 거칠 때마다 센서 데이터를 추출하여 모으는 제1 단계;추출된 각각의 상기 센서 데이터의 FDC 파라미터(Fault Detection and Classification parameter)를 분석하는 제2 단계;적어도 하나의 불량 모드에 대하여 상기 불량 모드의 기준이 되는 임계값을 설정하는 제3 단계;상기 FDC 파라미터의 상태들을 양자화된 레벨로 표현하는 제4 단계;상기 양자화된 레벨을 분석하는 제5 단계;설정된 상기 임계값
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.