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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-7004190 (2022-02-08) | |
공개번호 | 10-2022-0025150 (2022-03-03) | |
우선권정보 | 캐나다(CA) 2,835,583 (2013-11-28) | |
국제출원번호 | PCT/CA2014/051141 (2014-11-28) | |
국제공개번호 | WO 2015/077892 (2015-06-04) | |
번역문제출일자 | 2022-02-08 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020227004190 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-02-08) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
x가 0.8 내지 1.2인 SiOx의 나노 필라멘트 입자들의 제조를 위한 방법으로서, 가스성 실리콘 모녹사이드(SiO)를 생성하는 적어도 약 1410℃의 온도에서 실리카(SiO2)와 실리콘(Si) 사이의 융합 반응으로 구성된 단계; 및 상기 SiOx 나노 필라멘트 입자들을 생성하는 상기 가스성 SiO의 응축으로 구성된 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 탄소를 이용하는 것을 포함할 수 있다.
x가 0.8 내지 1.2인 SiOx의 나노 필라멘트 입자들의 제조를 위한 방법으로서,가스성 실리콘 모녹사이드(SiO)를 생성하는 적어도 1410℃의 온도에서 실리카(SiO2) 및 액체 실리콘(Si) 사이의 융합 반응을 포함하는 단계; 및상기 SiOx 나노 필라멘트 입자들을 생성하는 상기 가스성 SiO의 응축을 포함하는 단계로서, 여기서 응축 단계는 로(furnace)의 저온 영역에서 수행되고, 상기 가스성 SiO는 벡터 가스에 의해 상기 저온 영역으로 이동되는, 단계를 포함하는, 방법.
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