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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0101807 (2018-08-29) | |
공개번호 | 10-2020-0025038 (2020-03-10) | |
등록번호 | 10-2091482-0000 (2020-03-16) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180101807 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-08-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 음극 활물질용 산소결핍 결정질인 리튬 실리콘 산화물, 그를 포함하는 음극 및 그의 제조방법에 관한 것이다.[화학식 1]LiSiO2-x화학식 1에서, 0<x<2이다.본 발명의 산소결핍 결정질 리튬 실리콘 산화물은 고용량 소재로서 기존 흑연을 대체할 수 있다. 또한 본 발명의 산소결핍 결정질인 리튬 실리콘 산화물인 LiSiO2-x 소재에 흑연의 함량을 증가시켜 전고체 리튬이차전지에 적용시킬 경우 충방전 가역성 및 사이클 특성이 크게 개선되는 효과가 있다.
(a) 실리콘 전구체 및 리튬 전구체를 포함하는 혼합물을 졸-겔 반응시켜 비정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 제조하는 단계;(b) 상기 비정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 건조하고 산화 분위기에서 열처리하여 비정질 리튬 실리콘 산화물을 제조하는 단계; 및(c) 상기 비정질 리튬 실리콘 산화물 및 실리콘(Si) 입자를 포함하는 결정질 리튬 실리콘 산화물 전구체를 환원 분위기에서 열처리하여 하기 화학식 1로 표시되는 산소결핍 결정질 리튬 실리콘 산화물을 제조하는 단계;를포함하는 리튬 실리콘 산화물의 제조방법:[화학식 1]LiSiO2-x
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