초록

DRAM 및 3D NAND 검사를 위한 개시된 시스템 및 방법에 의해, 웨이퍼의 이미지가 검사 툴을 위한 출력에 기초하여 수신된다.웨이퍼 상의 복수의 메모리 디바이스의 디자인의 기하학적 측정치가 수신된다.기하학적 측정치에 기초하여 더 높은 검사 감도를 가진 케어 영역이 결정된다.

대표청구항 ▼

시스템으로서,검사 툴; 및상기 검사 툴과 전자 통신하는 프로세서를 포함하고,상기 검사 툴은,웨이퍼에 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되는 에너지 소스; 및상기 웨이퍼로부터 에너지를 검출하고 검출된 상기 에너지에 응답하여 출력을 생성하도록 구성되는 검출기를 포함하고,상기 프로세서는,상기 출력에 기초하여 상기 웨이퍼의 이미지를 수신하도록;상기 웨이퍼 상의 복수의 메모리 디바이스의 디자인의 기하학적 측정치(geometric measurement)를 수신하도록 - 상기 디자인의 상기 기하학적 측정치는 상기 웨이퍼 상의 디바이스의 디자인 데

시스템으로서,검사 툴; 및상기 검사 툴과 전자 통신하는 프로세서를 포함하고,상기 검사 툴은,웨이퍼에 지향되는 에너지를 생성하도록 구성되는 에너지 소스; 및상기 웨이퍼로부터 에너지를 검출하고 검출된 상기 에너지에 응답하여 출력을 생성하도록 구성되는 검출기를 포함하고,상기 프로세서는,상기 출력에 기초하여 상기 웨이퍼의 이미지를 수신하도록;상기 웨이퍼 상의 복수의 메모리 디바이스의 디자인의 기하학적 측정치(geometric measurement)를 수신하도록 - 상기 디자인의 상기 기하학적 측정치는 상기 웨이퍼 상의 디바이스의 디자인 데이터로 제공되고, 상기 메모리 디바이스 각각은 DRAM 셀임 - ;상기 기하학적 측정치에 기초하여, 케어 영역(care area) 이외의 영역에 대한 검사 감도 보다 더 높은 검사 감도를 가지는 상기 케어 영역을 결정하도록;상기 메모리 디바이스에 상기 케어 영역을 적용하도록;적어도 2개의 어레이 셀을 커버하도록 X 방향으로 작업 사이즈(job size)를 확장하도록;페이지 브레이크(page break)를 커버하고 셀 경계를 식별하는 서브 스와스(sub-swath)를 결정하도록; 그리고주변부 교차 없는 다른 서브 스와스에 대한 상기 셀 경계의 위치 및 패턴 디자인 정렬 왜곡(pattern-design alignment distortion)을 결정하도록구성되는 것인, 시스템.