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NTIS 바로가기대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집, 1998 June 01, 1998년, pp.429 - 432
이병진 (인천대학교 전자공학과) , 윤병오 (인천대학교 전자공학과) , 홍성희 (인천대학교 전자공학과) , 유종근 (인천대학교 전자공학과) , 전석희 (인천대학교 전자공학과) , 박종태 (인천대학교 전자공학과)
The impact of hot carrier induced gate leakage current on the refresh time of memory devices has been examined. The maximum allowable supply voltage for cell transistor has been determined form the degradation of the refresh time. The desing guideline for cell capacitors and refresh circuits has bee...
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