초록 ▼

본 명세서에 설명된 실시예들은, 기판 프로세싱 동안 기판의 편향, 및 그에 따른 기판과 기판 지지부 사이의 접촉력을 모니터링 및 제어함으로써 기판의 비활성 표면에 대한 바람직하지 않은 스크래치들을 감소시키거나 실질적으로 제거하는 데 사용되는 방법들 및 장치를 제공한다.일 실시예에서, 기판을 프로세싱하기 위한 방법은, 기판 지지부의 패터닝된 표면 상에 기판을 포지셔닝시키는 단계 ― 기판 지지부는 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨에 배치됨 ―, 기판 지지부에 배치된 척킹 전극에 척킹 전압을 인가하는 단계, 기판과 기판 지지부 사이에 배치된

본 명세서에 설명된 실시예들은, 기판 프로세싱 동안 기판의 편향, 및 그에 따른 기판과 기판 지지부 사이의 접촉력을 모니터링 및 제어함으로써 기판의 비활성 표면에 대한 바람직하지 않은 스크래치들을 감소시키거나 실질적으로 제거하는 데 사용되는 방법들 및 장치를 제공한다.일 실시예에서, 기판을 프로세싱하기 위한 방법은, 기판 지지부의 패터닝된 표면 상에 기판을 포지셔닝시키는 단계 ― 기판 지지부는 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨에 배치됨 ―, 기판 지지부에 배치된 척킹 전극에 척킹 전압을 인가하는 단계, 기판과 기판 지지부 사이에 배치된 후면측 볼륨으로 가스를 유동시키는 단계, 기판의 편향을 모니터링하는 단계, 및 기판의 편향에 기반하여 척킹 파라미터를 변화시키는 단계를 포함한다.

대표청구항 ▼

기판을 프로세싱하기 위한 장치로서, 상기 장치는 기판 지지 어셈블리를 포함하고, 상기 기판 지지 어셈블리는:관통 형성된 센서 개구를 갖는 유전체 재료를 포함하는 기판 지지부 ― 상기 유전체 재료의 표면은 패터닝되어 리세스된 표면(recessed surface) 및 상기 리세스된 표면으로부터 상향으로 연장되는 복수의 융기된 피쳐들을 형성하고, 상기 복수의 융기된 피쳐들의 각각의 기판-접촉 표면들은 서로 실질적으로 동일 평면에 있음 ―; 및센서를 포함하고, 상기 센서는: 상기 센서 개구 내에 배치되는 센서 단자 ― 상기 센서 단자는 상

기판을 프로세싱하기 위한 장치로서, 상기 장치는 기판 지지 어셈블리를 포함하고, 상기 기판 지지 어셈블리는:관통 형성된 센서 개구를 갖는 유전체 재료를 포함하는 기판 지지부 ― 상기 유전체 재료의 표면은 패터닝되어 리세스된 표면(recessed surface) 및 상기 리세스된 표면으로부터 상향으로 연장되는 복수의 융기된 피쳐들을 형성하고, 상기 복수의 융기된 피쳐들의 각각의 기판-접촉 표면들은 서로 실질적으로 동일 평면에 있음 ―; 및센서를 포함하고, 상기 센서는: 상기 센서 개구 내에 배치되는 센서 단자 ― 상기 센서 단자는 상기 리세스된 표면에 인접한 상기 센서 단자의 말단 상에 배치된 투명 부재를 포함하고,상기 센서 단자는 상기 센서 개구의 벽으로부터 이격되어 그 사이에 갭을 정의하고,상기 센서 단자는 하나 또는 그 초과의 장착 부재들을 사용하여 상기 센서 개구의 벽에 고정되고, 그리고상기 하나 또는 그 초과의 장착 부재들은 상기 센서 개구에 전달되는 가스가 상기 센서 단자 주위에서 상기 리세스된 표면을 향해 유동할 수 있게 하도록 구성됨 ―;방사선 소스;방사선 검출기; 및상기 방사선 소스 및 방사선 검출기를 상기 센서 단자에 결합시키는 복수의 광섬유들을 포함하고,상기 장치는 기판을 프로세싱하는 방법에 대한 명령들이 저장된 컴퓨터 판독가능 매체를 더 포함하고, 상기 방법은:(a) 상기 기판 지지부 상에 상기 기판을 포지셔닝시키는 단계 ― 상기 기판은 지지부 대향 표면을 갖고, 상기 복수의 융기된 피쳐들은 상기 기판 지지부의 상기 리세스된 표면으로부터 이격된 상기 지지부 대향 표면을 지지하여 그 사이에 배치되는 후면측 가스 볼륨을 정의함 ―;(b) 상기 기판 지지부의 상기 유전체 재료 내에 배치된 척킹 전극에 척킹 전압을 인가하는 단계;(c) 상기 센서 개구에 유체 결합된 후면측 가스 공급부를 사용하여, 후면측 가스를 상기 후면측 가스 볼륨에 전달하는 단계;(d) 상기 센서의 사용에 의해, 상기 복수의 융기된 피쳐들의 상기 기판-접촉 표면들에 의해 정의되는 평면으로부터의 상기 기판의 편향을 결정하는 단계; 및(e) (d) 단계에서 결정되는 상기 기판의 편향에 기초하여 하나 또는 그 초과의 척킹 파라미터들을 변경하는 단계 ― 상기 하나 또는 그 초과의 척킹 파라미터들을 변경하는 단계는 상기 척킹 전압 및 상기 후면측 가스 볼륨 내의 상기 후면측 가스의 압력을 동시에 또는 순차적으로 변경하는 단계를 포함함 ―를 포함하는,기판을 프로세싱하기 위한 장치.