초록 ▼

본 발명에 따른 활성종 조성 조절이 가능한 플라즈마 발생 장치는 전압 및 전류가 인가되어 전력이 발생하는 제1 전극과, 접지(ground)로 작용하도록 0V의 전위를 가지는 제2 전극 사이에 유전체층이 배치되어 격벽 방전의 형식으로 플라즈마를 발생한다. 한편, 발생한 플라즈마는 각 전극의 복수의 가지 사이에 형성되고 유전체층을 관통하도록 형성된 홀 내부에 생성될 수 있으며, 생성된 플라즈마는 본 발명에 따른 플라즈마 발생 장치의 다양한 전극의 배치관계에 따라 그 두께와 유동방향 등이 결정될 수 있다. 이와 같은 본 발명에 따른 플라

본 발명에 따른 활성종 조성 조절이 가능한 플라즈마 발생 장치는 전압 및 전류가 인가되어 전력이 발생하는 제1 전극과, 접지(ground)로 작용하도록 0V의 전위를 가지는 제2 전극 사이에 유전체층이 배치되어 격벽 방전의 형식으로 플라즈마를 발생한다. 한편, 발생한 플라즈마는 각 전극의 복수의 가지 사이에 형성되고 유전체층을 관통하도록 형성된 홀 내부에 생성될 수 있으며, 생성된 플라즈마는 본 발명에 따른 플라즈마 발생 장치의 다양한 전극의 배치관계에 따라 그 두께와 유동방향 등이 결정될 수 있다. 이와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 발생 장치를 사용함에 따라 사용자는 다양한 조건 하에서 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 이에 따라 발생시키는 플라즈마 물질을 사용자가 원하는 환경에 더욱 용이하게 적용시킬 수 있는 이점이 있다.

대표청구항 ▼

적어도 하나 이상의 제1 전극;적어도 하나 이상의 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 포함되어 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이를 메우도록 형성되는 유전체층;상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나의 일부를 감싸도록 상기 유전체 층의 일면 및 타면 중 하나 이상에 각각 형성되는 보호층; 및상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 복수의 홀;을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상호 대응되는 수를 가지는 복수의 가지로 분지되고, 상기 복수 개의 홀의 각각의 직경은 서로 다른 두(2)개 이상의

적어도 하나 이상의 제1 전극;적어도 하나 이상의 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 포함되어 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이를 메우도록 형성되는 유전체층;상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나의 일부를 감싸도록 상기 유전체 층의 일면 및 타면 중 하나 이상에 각각 형성되는 보호층; 및상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되는 복수의 홀;을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상호 대응되는 수를 가지는 복수의 가지로 분지되고, 상기 복수 개의 홀의 각각의 직경은 서로 다른 두(2)개 이상의 직경 중 하나의 직경을 가지고, 상기 서로 다른 두(2)개 이상의 직경 중 더 큰 직경을 갖는 홀에서 활성종의 이동 속도가 느리고 농도가 높고 더 작은 직경을 가지는 홀에서 활성종의 이동속도가 빠르고 농도가 낮게 형성되어 상기 홀의 직경에 따라 서로 다른 활성종의 처리가 가능하고,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나 이상을 제어하여 소정의 활성종이 높은 농도를 가지도록 발생시키는, 활성종 조성 조절이 가능한 플라즈마 발생 장치.