초록 ▼

마스크 상에서의 헤이즈의 발생을 충분히 억제할 수 있는 위상 시프트 마스크 블랭크, 헤이즈 결함이 적은 위상 시프트 마스크 및 그 위상 시프트 마스크의 제조 방법을 제공한다.본 실시 형태에 관한 위상 시프트 마스크 블랭크(10)는 파장 200nm 이하의 노광광이 적용되는 위상 시프트 마스크를 제작하는 데 사용되는 위상 시프트 마스크 블랭크이며, 기판(11)과, 기판(11) 상에 형성된 위상 시프트막(14)을 구비하고, 위상 시프트막(14)은 투과하는 노광광에 대하여 소정량의 위상 및 투과율을 각각 조정 가능하게 하는 위상층(12)과

마스크 상에서의 헤이즈의 발생을 충분히 억제할 수 있는 위상 시프트 마스크 블랭크, 헤이즈 결함이 적은 위상 시프트 마스크 및 그 위상 시프트 마스크의 제조 방법을 제공한다.본 실시 형태에 관한 위상 시프트 마스크 블랭크(10)는 파장 200nm 이하의 노광광이 적용되는 위상 시프트 마스크를 제작하는 데 사용되는 위상 시프트 마스크 블랭크이며, 기판(11)과, 기판(11) 상에 형성된 위상 시프트막(14)을 구비하고, 위상 시프트막(14)은 투과하는 노광광에 대하여 소정량의 위상 및 투과율을 각각 조정 가능하게 하는 위상층(12)과, 위상층(12) 상에 형성되고, 위상층(12)으로의 기체 투과를 저지하는 보호층(13)을 구비하고, 위상층(12)의 막 두께를 d1이라 하고, 보호층(13)의 막 두께를 d2라 했을 때, 위상층(12)의 막 두께(d1)는 보호층(13)의 막 두께(d2)보다 두껍고, 보호층(13)의 막 두께(d2)는 15nm 이하이다.

대표청구항 ▼

파장 200nm 이하의 노광광이 적용되는 위상 시프트 마스크를 제작하는 데 사용되는 위상 시프트 마스크 블랭크이며,투명 기판과, 상기 투명 기판 상에 형성된 위상 시프트막을 구비하고,상기 위상 시프트막은, 투과하는 노광광에 대하여 소정량의 위상 및 투과율을 각각 조정 가능하게 하는 위상차 투과율 조정층과, 상기 위상차 투과율 조정층 상에 형성되고, 상기 위상차 투과율 조정층으로의 기체 투과를 저지하는 기체 투과 보호층을 구비하고,상기 위상차 투과율 조정층은, 상기 투명 기판 측에 위치하고,상기 위상차 투과율 조정층의 막 두께를 d1

파장 200nm 이하의 노광광이 적용되는 위상 시프트 마스크를 제작하는 데 사용되는 위상 시프트 마스크 블랭크이며,투명 기판과, 상기 투명 기판 상에 형성된 위상 시프트막을 구비하고,상기 위상 시프트막은, 투과하는 노광광에 대하여 소정량의 위상 및 투과율을 각각 조정 가능하게 하는 위상차 투과율 조정층과, 상기 위상차 투과율 조정층 상에 형성되고, 상기 위상차 투과율 조정층으로의 기체 투과를 저지하는 기체 투과 보호층을 구비하고,상기 위상차 투과율 조정층은, 상기 투명 기판 측에 위치하고,상기 위상차 투과율 조정층의 막 두께를 d1이라 하고, 상기 기체 투과 보호층의 막 두께를 d2라 했을 때, d1은 d2보다 두껍고, d2는 15nm 이하인 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.