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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2023-7015361 (2023-05-04) | |
공개번호 | 10-2023-0074820 (2023-05-31) | |
우선권정보 | 미국(US) 17/063,783 (2020-10-06) | |
국제출원번호 | PCT/US2021/043121 (2021-07-26) | |
국제공개번호 | WO 2022/076057 (2022-04-14) | |
번역문제출일자 | 2023-05-04 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020237015361 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2023-05-04) | |
법적상태 | 공개 |
극자외선(EUV) 마스크 블랭크들, 이를 제조하기 위한 방법들, 및 이를 위한 생산 시스템들이 개시된다. EUV 마스크 블랭크들은 기판; 기판 상의 반사 층들의 다층 스택; 반사 층들의 다층 스택 상의 캡핑 층; 및 캡핑 층 상의 흡수체 층 ― 흡수체 층은 탄탈럼, 이리듐 및 안티몬의 합금; 이리듐 및 안티몬의 합금; 및 탄탈럼, 루테늄 및 안티몬의 합금으로부터 선택된 합금을 포함함 ―을 포함한다.
극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 마스크 블랭크(mask blank)를 제조하는 방법으로서,EUV 방사선을 반사하는 다층 스택(multilayer stack)을 기판 상에 형성하는 단계 ― 상기 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함 ―; 상기 다층 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계; 및상기 캡핑 층 상에 흡수체 층(absorber layer)을 형성하는 단계 ― 상기 흡수체 층은 탄탈럼, 이리듐 및 안티몬의 합금; 이리듐 및 안티몬의 합금; 및 탄탈럼, 루테늄 및 안티몬의 합금으로부터 선택됨 ―를 포함하
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