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[한국특허] FET구동회로
FET OCCURED CIRCUIT
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록실용신안
국제특허분류(IPC8판)
  • H03K-017/04
출원번호 20-1991-0007007 (1991-05-16)
공개번호 20-1992-0022291 (1992-12-19)
공고번호 20-0077594-0000 (1993-09-13)
등록번호 20-0077594-0000 (1994-01-17)
DOI http://doi.org/10.8080/2019910007007
발명자 / 주소
  • 이권재 / 서울특별시영등포구당산동*가**번지
출원인 / 주소
  • 삼성전기주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 전준항 (CHUN, Choon Hang)
  • 서울 강남구 도곡*동 ***-* 대림아크로텔 ****호
심사청구여부 있음 (1991-05-16)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

1.FET 구동 회로에 있어서, 펄스 발생기(IC1)의 펄스 출력에 따라 포토 다이오드(D3,D4)를 교대로 발광시키기 위한 공통 베이스 트랜지스터(Q3,Q4)와, 상기 포토 다이오드(D3,D4)에 의해 구동되며 FET(F1)에 게이트 바이어스를 제공하고 게이트 잔류 전하를 디스차아지 시키는 포토 트랜지스터(Q5,Q6)로 구성하는 것을 특징으로 하는 FET 구동 회로.2.제1항에 있어서, 공통 베이스 트랜지스터(Q3,Q4)는 콘넥터측에 포토 다이오드(D3)를 갖는 NPN 타입과 에미터측에 포토 다이오드(D4)를 갖는 PNP 타입인

대표청구항

FET구동회로에 있어서, 펄스 발생기(IC1)의 펄스출력에 따라 포토 다이오드(D3,D4)를 교대로 발광시키기 위한 공통 베이스 트랜지스터(Q3,Q4)와, 상기 포토 다이오드(D3,D4)에 의해 구동되며 FET(F1)에 게이트바이어스를 제공하고 게이트 잔류전하를 디스차아지시키는 포토 트랜지스터(Q3,Q4)로 구성하는 것을 특징으로 하는 FET 구동회로.

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