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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개실용신안 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 20-1993-0023593 (1993-11-11) |
공개번호 | 20-1995-0015640 (1995-06-19) |
DOI | http://doi.org/10.8080/2019930023593 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
1. 반도체 제조공정 중 개스 주입에 의한 확산 공정으로 웨이퍼상에 막을 형성할 때 사용하는 개스 주입관이 구비된 석영튜브에 있어서, 석영튜브의 내측벽에 접촉되되, 굴곡되게 길게 연장된 개스 주입관(12)을 구비하는것을 포함하는 것을 특징으로 하는 석영튜브.2. 제1항에 있어서, 상기 석영튜브의 내측벽에 구비된 개스 주입관(12)의 끝단 일정부분에 개스를 분사하는 구멍(14)이 다수 형성된 것을 특징으로 하는 석영튜브.
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