초록

본 고안은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 고신뢰성 및 저전력의 구동 특성을 갖는 반도체 장치에 관한 것이다.본 발명의 반도체 장치는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 소자 격리 영역에 형성되는 필드 산화막과, 상기 필드 산화막에 의해 정의된 활성 영역에 형성되어 그 두께가 어느 한 방향으로 갈수록 두꺼워지는 게이트 산화막과, 상기 게이트 산화막상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측면에 형성되는 게이트 측벽과, 상기 게이트 전극의 일측과 타측의 반도체 기판에 형성되는 소오스/드레인 영역을 포함하여 구성된다.

대표청구항

반도체 기판과,상기 반도체 기판의 소자 격리 영역에 형성되는 필드 산화막과,상기 필드 산화막에 의해 정의된 활성 영역에 형성되어 그 두께가 어느 한 방향으로 갈수록 두꺼워지는 게이트 산화막과, 상기 게이트 산화막상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측면에 형성되는 게이트 측벽과, 상기 게이트 전극의 일측과 타측의 반도체 기판에 형성되는 소오스/드레인 영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.

반도체 기판과,상기 반도체 기판의 소자 격리 영역에 형성되는 필드 산화막과,상기 필드 산화막에 의해 정의된 활성 영역에 형성되어 그 두께가 어느 한 방향으로 갈수록 두꺼워지는 게이트 산화막과, 상기 게이트 산화막상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측면에 형성되는 게이트 측벽과, 상기 게이트 전극의 일측과 타측의 반도체 기판에 형성되는 소오스/드레인 영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.