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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0683235 (2012-11-21) |
공개번호 | US-0139570 (2013-06-06) |
우선권정보 | DE-DE102011118931.2 (2011-11-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
A semiconductor gas sensor is provided that has a gas-sensitive gate electrode separated by a gap from a channel region and is embodied as a suspended gate field effect transistor or the gate electrode is arranged as a first plate of a capacitor with gap and a second plate of the capacitor is connec
1. A semiconductor gas sensor comprising: a gas-sensitive gate electrode separated by a gap from a channel region and is configured as a suspended gate field effect transistor or the gas-sensitive gate electrode is arranged as a first plate of a capacitor with a gap and a second plate of the capacit
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