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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0048245 (1979-06-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 3 |
Epitaxial tunnels may be formed in crystalline bodies of crystalline materials by growth of the material on a substrate having two intersecting crystallographic planes that exhibit rapid epitaxial growth and by maintaining the growth until the structure forming along those planes closes, thereby pro
A crystalline structure comprising a substrate and a body of a crystal, said substrate having a crystallographically oriented surface that has two preferential growth planes that intersect said surface and that intersect each other; a shape defining crystallographic growth inhibiting design on the s
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